IXYS MDD2608N1B

IXYS MDD2608N1B – это N-канальный MOSFET-транзистор с двойным затвором, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений.

Описание:

Компонент предназначен для использования в импульсных источниках питания, инверторах, DC/DC-преобразователях и других приложениях, где требуются высокое напряжение и быстрая коммутация.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 8 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.85 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |
| Емкость затвора (C_iss) | 1200 пФ (тип.) |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS (Littelfuse): MDD2608N1B
• Аналоги и совместимые модели:
  • Infineon: IPP60R190P6
  • STMicroelectronics: STP8NK60Z
  • Vishay: IRF840
  • ON Semiconductor: FQPF8N60C

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC/DC-преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Системы управления питанием

Если вам нужны дополнительные параметры (временные характеристики, графики), уточните запрос.