IXYS MDD26-12N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD26-12N1B

Описание:
IXYS MDD26-12N1B – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор, выполненный в корпусе TO-247. Он предназначен для применения в силовой электронике, импульсных источниках питания, инверторах и других устройствах, требующих высокого напряжения и тока.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Корпус | TO-247 | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 26 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.35 Ом (при V_GS = 15 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 4 В (тип.) | | Макс. мощность рассеивания (P_D) | 300 Вт (при 25°C) | | Температура перехода | -55°C до +150°C | | Тип затвора | Стандартный (не логический уровень) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и возможные замены (с проверкой по даташитам):

• IXYS MDD26-12N1 (более ранняя версия)
• IXFH26N120 (Infineon, 1200 В, 26 А)
• IRFP32B120 (International Rectifier, 1200 В, 32 А)
• STW26NM120 (STMicroelectronics, 1200 В, 26 А)

Перед заменой рекомендуется уточнять соответствие характеристик, особенно параметров R_DS(on) и V_GS(th).

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Высоковольтные схемы управления
• Системы электропривода

Если требуется точная замена, лучше сверяться с оригинальным даташитом IXYS MDD26-12N1B.