IXYS MDD275-30N3

Описание

IXYS MDD275-30N3 – это мощный двухканальный N-канальный MOSFET-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Он используется в инверторах, импульсных источниках питания, мостовых схемах и других силовых электронных устройствах, где требуется высокая эффективность и надежность.

Модуль выполнен в изолированном корпусе, обеспечивающем хорошие тепловые характеристики и защиту от перегрузок.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (2 шт. в модуле) |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 300 В |
| Максимальный непрерывный ток стока (I_D) | 75 А (на канал) |
| Импульсный ток стока (I_DM) | 300 А |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.03 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_J) | -55 °C до +150 °C |
| Тип корпуса | Изолированный модуль (TO-247 или аналогичный) |
| Заряд затвора (Q_g) | ~120 нКл |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS MDD275-30N2 (аналогичный, но с другими параметрами корпуса)
• IXYS MDD275-30N4 (модификация с улучшенными характеристиками)
• IXYS IXFN75N30 (одиночный MOSFET с близкими параметрами)
• Infineon IPP75N30S3 (альтернатива от Infineon)
• IRFP4568PbF (International Rectifier, аналог с похожими характеристиками)

Совместимые модули в схемах:

• IXYS MDD360-16N3 (более высоковольтный вариант)
• IXYS MDD200-18N3 (с меньшим током, но схожий по корпусу)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Управление двигателями (H-мосты)
• Сварочное оборудование
• Системы резервного питания (UPS)

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!