IXYS MDD31216N1

Описание IXYS MDD31216N1

IXYS MDD31216N1 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает эффективное теплоотведение, а также удобство монтажа на печатную плату.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 3,2 А (при 25°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 6,5 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В |
| Макс. мощность (P_D) | 40 Вт (при 25°C) |
| Температура перехода (T_J) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Заряд затвора (Q_g) | ~24 нКл (тип.) |
| Время включения/выключения (t_d(on)/t_d(off)) | ~15 нс / ~50 нс |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD31216N1G (улучшенная версия)
• IXFK3N120 (альтернатива от IXYS)
• STF3N120 (STMicroelectronics)
• IRFBE30 (International Rectifier)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• FQP3N120 (Fairchild/ON Semi)
• 2SK3562 (Toshiba)
• IXTH3N120 (IXYS)

Применение

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужна более точная информация по заменам, уточните конкретные требования (например, ток, напряжение, корпус).