IXYS mdd56-12n1b

Описание и технические характеристики IXYS MDD56-12N1B

Тип компонента: Высоковольтный диодный модуль (Dual Diode Module)
Назначение: Выпрямление, защита от обратного тока, применение в импульсных источниках питания, инверторах, промышленном оборудовании.
Конструкция: Изолированный корпус, два диода с общим катодом (Common Cathode).

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Макс. обратное напряжение (VRRM) | 1200 В | | Средний прямой ток (IF(AV)) | 56 А | | Пиковый прямой ток (IFSM) | 500 А (импульсный) | | Прямое падение напряжения (VF) | 1.45 В (при 56 А) | | Обратный ток (IR) | 10 мкА (при 1200 В) | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Корпус | MODULE (изолированный) | | Вес | ~30 г |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (полные замены):

• IXYS MDD56-12N1 (близкий аналог, возможны небольшие отличия в корпусе)
• IXYS MDD56-12N1A (модификация с улучшенными параметрами)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXYS MDD75-12N1 (75 А, 1200 В)
• IXYS MDD45-12N1 (45 А, 1200 В)
• Infineon IDW75E12FKSA1 (75 А, 1200 В)
• Vishay VS-60EPH12 (60 А, 1200 В)

Применение:

• Выпрямительные мосты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и частотные преобразователи
• Промышленные системы управления

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять datasheet и параметры в конкретной схеме.