IXYS MDD5618N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD5618N1B

Описание:
MDD5618N1B — это дискретный N-канальный MOSFET транзистор с высокой мощностью, разработанный для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, управлении двигателями и других силовых электронных устройствах. Благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой переключательной способности, он обеспечивает эффективное управление мощностью.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DS) | 60 В | | Макс. ток стока (I_D) | 56 A (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 18 мОм (при V_GS = 10 В) | | Макс. мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 2–4 В | | Время включения (t_d(on)) | ~15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~50 нс | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Рабочая температура | -55°C ... +175°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги (альтернативы):

• Infineon: IPP60R041C6 (60 В, 50 A, 4.1 мОм)
• Vishay: SUP50085E (60 В, 50 A, 8.5 мОм)
• STMicroelectronics: STP60NF06 (60 В, 60 A, 16 мОм)
• ON Semiconductor: NTMFS6H800NL (60 В, 40 A, 8 мОм)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS MDD5605N1B (60 В, 56 A, 5 мОм)
• IXYS MDD5615N1B (60 В, 56 A, 15 мОм)
• IXYS IXFH56N20P (200 В, 56 A, 45 мОм)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать различия в сопротивлении R_DS(on), емкости затвора и тепловых характеристиках.

Если нужна дополнительная информация или уточнения по аналогам — обращайтесь!