IXYS MDD56-18N1B

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS MDD56-18N1B
Описание MOSFET-транзистора IXYS MDD56-18N1B
IXYS MDD56-18N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Этот компонент обладает низким сопротивлением открытого канала (RDS(on)), что обеспечивает высокую энергоэффективность в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных системах.
Корпус TO-263 (D2PAK) обеспечивает хороший теплоотвод и удобство монтажа на печатную плату.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 180 В | | Макс. ток стока (ID) | 56 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 0.018 Ом (при VGS = 10 В) | | Макс. мощность рассеивания (PD) | 200 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Заряд затвора (Qg) | 140 нКл (тип.) | | Время включения/выключения (tr / tf) | 40 нс / 60 нс (тип.) | | Корпус | TO-263 (D2PAK) | | Диапазон рабочих температур | от -55°C до +175°C |
Парт-номера и совместимые аналоги
Прямые замены (аналогичные характеристики):
- IXYS MDD56-18N1 (близкий аналог, возможно отличие в корпусе)
- IRFP260N (International Rectifier, 200 В, 50 А, RDS(on) = 0.04 Ом)
- STP60NF18 (STMicroelectronics, 180 В, 60 А, RDS(on) = 0.018 Ом)
- FDP61N20 (Fairchild/ON Semi, 200 В, 61 А, RDS(on) = 0.025 Ом)
Условно совместимые (с проверкой параметров):
- IRF3205 (55 В, 110 А, RDS(on) = 0.008 Ом) – для низковольтных схем
- IPP60R190C6 (Infineon, 600 В, 18 А, RDS(on) = 0.19 Ом) – для высоковольтных приложений
- IRFB4110 (100 В, 72 А, RDS(on) = 0.009 Ом) – альтернатива с меньшим напряжением
Применение
- Импульсные источники питания (SMPS)
- DC-DC преобразователи
- Инверторы и приводы двигателей
- Силовые ключи в автомобильной электронике
- Солнечные инверторы и системы управления энергией
Транзистор IXYS MDD56-18N1B обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовой электронике, особенно там, где требуется минимизация потерь и хорошее тепловыделение.
Если нужны дополнительные параметры (графики, корпусные аналоги), уточните!