IXYS MDD710-26N2

IXYS MDD710-26N2 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263 (D²Pak), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как импульсные источники питания, моторные драйверы и DC-DC преобразователи.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1000 В
• Максимальный ток стока (I_D): 10 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 2.6 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3.0–5.0 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C
• Корпус: TO-263 (D²Pak)
• Особенности:
  • Высокое напряжение пробоя
  • Быстрое переключение
  • Низкий заряд затвора

Парт-номера и аналогичные модели:

Прямые аналоги от IXYS/Littelfuse:

• MDD710-26N1 (аналогичные параметры, возможно, с небольшими отличиями)
• IXFH10N100 (1000 В, 10 А, TO-247)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon IPA60R099P7XKSA1 (1000 В, 11 А, TO-220)
• STMicroelectronics STP10NK100Z (1000 В, 10 А, TO-220)
• Fairchild (ON Semiconductor) FQP10N100C (1000 В, 10 А, TO-220)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Драйверы двигателей
• Системы управления энергией

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметрам по току, напряжению и терморежимам.