IXYS MDD95-08N1B

Описание

IXYS MDD95-08N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с высокой скоростью переключения, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS) | 80 В |
| Максимальный ток стока (I_D) | 95 А |
| Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 8 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Мощность рассеяния (P_D) | 300 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) |
| Температурный диапазон | -55°C до +175°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• IXYS MDD95-10N1B (100 В, 95 А)
• IXYS MDD75-16N1B (160 В, 75 А)
• IXYS MDD60-12N1B (120 В, 60 А)

Совместимые аналоги от других производителей:

• Infineon IPP95N08S4-4 (80 В, 95 А, 8 мОм)
• Vishay SUP90N08-08 (80 В, 90 А, 8 мОм)
• STMicroelectronics STP80NF08 (80 В, 80 А, 10 мОм)

Данный транзистор подходит для замены в схемах, где требуется высокая мощность и эффективность, но перед заменой рекомендуется проверить параметры в datasheet, так как могут быть незначительные отличия в характеристиках.