IXYS MDD9516N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD9516N1B

MDD9516N1B – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором (IGBT-модуль), разработанный компанией IXYS (ныне часть Littelfuse). Применяется в силовой электронике, импульсных источниках питания, преобразователях частоты и других высоковольтных/высокотоковых схемах.

Основные характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 600 В
• Максимальный ток стока (I_D): 16 А (при 25°C)
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 0,95 Ом (при V_GS = 10 В)
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_D): 50 Вт
• Тип корпуса: TO-252 (DPAK)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

• Высокое пробивное напряжение
• Быстрое переключение
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Защитный диод в структуре транзистора

Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги от IXYS / Littelfuse:

• IXYS MDD9516N1 (близкий аналог с аналогичными параметрами)
• IXTP16N60P (N-канальный MOSFET 600 В, 16 А)
• IXFH16N60P (аналог в корпусе TO-247)

Аналоги от других производителей:

• IRF840 (International Rectifier, 500 В, 8 А, TO-220)
• STP16NF06 (STMicroelectronics, 60 В, 16 А, TO-220)
• FQP16N60C (Fairchild/ON Semi, 600 В, 16 А, TO-220)
• IRFB16N60P (Infineon, 600 В, 16 А, TO-220)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Управление электродвигателями
• Инверторы и сварочное оборудование

Если нужна более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.