IXYS MDD9518N1B

Описание IXYS MDD9518N1B

IXYS MDD9518N1B – это N-канальный MOSFET транзистор с двойным диодом (Dual Diode) в корпусе TO-252 (DPAK). Предназначен для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях, системах управления двигателями и других приложениях силовой электроники.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В |
| Макс. ток стока (I_D) при 25°C | 70 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 280 А |
| Сопротивление сток-исток (R_DS(on)) | 9.5 мОм (при V_GS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В |
| Макс. мощность рассеяния (P_D) | 80 Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Встроенные диоды | Да (Dual Diode) |
| Температурный диапазон | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги:

• IXYS: MDD9518N1, MDD9518N2 (схожие модели)
• IR (Infineon): IRF3205 (частично совместим, но с другими параметрами)
• Vishay: SUP70090E (аналог с близкими характеристиками)
• ON Semiconductor: NTD110N02 (альтернатива с похожими характеристиками)

Совместимые модели:

• IXYS MDD9518N2B (версия с улучшенными параметрами)
• IXYS IXFH70N10 (аналог с близкими характеристиками)
• STMicroelectronics STP80NF10 (частичная замена)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам в вашей схеме.