IXYS MDD9618N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD9618N1B

MDD9618N1B — это N-канальный MOSFET транзистор с двойным затвором, предназначенный для высокочастотных и импульсных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для использования в:

• Импульсных источниках питания (SMPS),
• DC-DC преобразователях,
• Управлении двигателями,
• LED-драйверах,
• RF-усилителях.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|------------------------------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET (Dual Die) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 100 В | | Макс. ток стока (I_D) | 18 А (при 25°C) | | Сопротивление (R_DS(on)) | 0.096 Ом (при V_GS = 10 В) | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 50 Вт | | Тип корпуса | TO-252 (DPAK) | | Темп. диапазон работы | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги и альтернативы:

• IXYS MDD9618N1 (близкий аналог с похожими параметрами)
• IRFZ44N (менее мощный аналог, 55 В, 49 А, R_DS(on) = 0.022 Ом)
• IRF540N (100 В, 33 А, R_DS(on) = 0.044 Ом)
• STP80NF55-06 (55 В, 80 А, R_DS(on) = 0.006 Ом)

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• IXYS MDD9518N1 (аналог с меньшим током, 9 А)
• Infineon IPP60R199CP (600 В, 16 А, для более высоких напряжений)
• Fairchild FDPF18N50 (500 В, 18 А, альтернатива для высоковольтных схем)

Примечание

При замене на аналог важно учитывать:

• Напряжение (V_DSS),
• Ток (I_D),
• Сопротивление (R_DS(on)),
• Тип корпуса.

Если нужны уточнения или дополнительные аналоги — укажите параметры замены.