IXYS MDD96-18N1B

Описание и технические характеристики IXYS MDD96-18N1B

Описание:
IXYS MDD96-18N1B — это мощный N-канальный MOSFET-транзистор, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, драйверах двигателей и других силовых электронных устройствах. Транзистор обладает низким сопротивлением канала в открытом состоянии (RDS(on)), что минимизирует потери мощности и повышает КПД системы.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 900 В |
| Макс. ток стока (ID) | 18 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (IDM) | 72 А |
| Сопротивление канала (RDS(on)) | 0.56 Ом (при VGS = 10 В) |
| Предельное напряжение затвор-исток (VGS) | ±30 В |
| Мощность рассеивания (PD) | 300 Вт (при 25°C) |
| Корпус | TO-247 (изолированный вариант) |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены (альтернативные модели):

• IXYS MDD96-16N1B (900 В, 16 А)
• IXYS MDD96-20N1B (900 В, 20 А)
• IXYS MDD96-18N1A (800 В, 18 А)
• Infineon IPA60R199CP (600 В, 18 А, TO-247)
• STMicroelectronics STW18NK90Z (900 В, 18 А, TO-247)

Совместимые модели в других корпусах:

• IXYS IXFN18N100 (1000 В, 18 А, TO-264)
• IXYS IXTH18N100 (1000 В, 18 А, TO-247)

Если вам нужна более точная замена, рекомендуется проверить даташиты на предмет соответствия параметров для конкретного применения.

Нужны ли дополнительные данные по этой модели?