IXYS MMIX1H60N150V1

Описание

IXYS MMIX1H60N150V1 – это высоковольтный IGBT-транзистор с кремниевой технологией, предназначенный для применения в мощных импульсных и силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1500 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 60 А (при 25°C) |
| Импульсный ток (I_CM) | 120 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 2,4 В (при I_C = 60 А) |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов и преобразователей) |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от IXYS:

• MMIX1H60N150 (аналогичная версия)
• IXGH60N150 (близкий аналог с похожими характеристиками)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW60N150T (IGBT, 1500 В, 60 А, TO-247)
• Fuji Electric: 2MBI150N-060 (IGBT модуль)
• STMicroelectronics: STGW60H150DF (Fast IGBT, 1500 В, 60 А)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Силовые электроприводы

Модуль IXYS MMIX1H60N150V1 подходит для замены в схемах, где требуются высокие напряжение и ток с надежными характеристиками переключения.