IXYS MMJX1H40N150

Описание и технические характеристики IXYS MMJX1H40N150

Описание:
IXYS MMJX1H40N150 – это мощный N-канальный MOSFET-транзистор с высоким напряжением и низким сопротивлением в открытом состоянии. Предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления двигателями и других высоковольтных силовых приложениях.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1500 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 1.4 А |
| Макс. импульсный ток (I_DM) | 5.6 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 40 Ом (при V_GS = 15 В) |
| Макс. напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 40 Вт |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Тип затвора | Стандартный (не логический уровень) |
| Диод сток-исток | Встроенный (Body Diode) |
| Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги:

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• IXYS MMJX1H40N150 (оригинал)
• STMicroelectronics STP1NK150Z (1500 В, 1.2 А, 40 Ом)
• Infineon IPP60R190P6 (600 В, но может использоваться в некоторых схемах с меньшим напряжением)

Близкие по характеристикам (возможна замена с проверкой):

• Fairchild (ON Semiconductor) FQP1N150 (1500 В, 1.1 А, 40 Ом)
• Vishay IRFBE30 (800 В, 2.8 А, 1.5 Ом) – для менее высоковольтных схем
• Toshiba 2SK3878 (1500 В, 1.5 А, 35 Ом)

Совместимые модели в других корпусах:

• IXYS IXFH1N150 (TO-247, 1500 В, 1.5 А, 30 Ом)
• IXYS IXTH1N150 (TO-264, 1500 В, 1.5 А, 30 Ом)

Примечание:

При замене на аналог необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение и ток нагрузки.
• Сопротивление R_DS(on) (влияет на нагрев).
• Тип корпуса (возможна замена на TO-220 или TO-247 с улучшенным охлаждением).

Если требуется точная замена, лучше использовать оригинальную модель IXYS MMJX1H40N150.