IXYS MUBW1006A6

Описание и технические характеристики IXYS MUBW1006A6

Описание:
IXYS MUBW1006A6 – это мощный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263 (D²PAK), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение (V_DSS) | 600 В | | Макс. ток (I_D) | 10 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.6 Ом (при 10 А, V_GS = 10 В) | | Потребляемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвора (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение (V_GS(th)) | 3–5 В | | Время включения (t_d(on)) | 15 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 60 нс | | Корпус | TO-263 (D²PAK) | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели:

• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IPP60R060P7
  • STMicroelectronics: STF10N60M2
  • Fairchild/ON Semiconductor: FCP10N60
  • Vishay: IRFB9N60A
• Прямые аналоги IXYS:
  • IXFH10N60P
  • IXTH10N60

Применение:

• Импульсные источники питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и H-мосты
• Управление двигателями

Если нужны дополнительные параметры (ёмкость затвора, характеристики диода и т. д.), уточните.