IXYS mubw3512e7

IXYS MUBW3512E7 – это мощный двухканальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-263-7L (D2PAK), разработанный для высокоэффективных коммутационных приложений, таких как импульсные источники питания, моторные драйверы и инверторы.

Технические характеристики:

1. Тип транзистора:

   • Два N-канальных MOSFET в одном корпусе.

2. Напряжение сток-исток (V_DS):

   • 30 В (максимальное).

3. Ток стока (I_D):

   • 75 А на каждый канал (при 25°C).
   • 50 А на канал (при 100°C).

4. Сопротивление открытого канала (R_DS(on)):

   • 3.5 мОм (при V_GS = 10 В).
   • 4.5 мОм (при V_GS = 4.5 В).

5. Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)):

   • 1.0 – 2.5 В (типичное 1.8 В).

6. Максимальная рассеиваемая мощность (P_D):

   • 100 Вт (при 25°C).

7. Корпус:

   • TO-263-7L (D2PAK) – с 7 выводами, предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

8. Температурный диапазон:

   • -55°C до +175°C.

9. Особенности:

   • Низкое R_DS(on) для минимизации потерь.
   • Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора.
   • Защитные диоды в структуре.

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (совместимые модели):

• Infineon BSC014N03LS
• Vishay SiR458DP
• STMicroelectronics STL160N3LLH6
• ON Semiconductor NVTFS5116PL

Похожие по характеристикам (но требуют проверки распиновки):

• IRF IRFS4310Z
• Fairchild (ON Semi) FDBL86062

Совместимые модели и применение:

Модуль MUBW3512E7 часто используется в:

• DC-DC преобразователях (включая синхронные выпрямители).
• Драйверах двигателей (например, в сервоприводах и робототехнике).
• Инверторах и H-мостовых схемах.
• Системах управления батареями (BMS).

Перед заменой на аналог рекомендуется сверять распиновку и параметры, особенно V_GS и R_DS(on).