IXYS MUBW5006A8

Описание и технические характеристики IXYS MUBW5006A8

Описание:
IXYS MUBW5006A8 – это мощный двухканальный MOSFET-модуль, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Модуль содержит два N-канальных MOSFET-транзистора в конфигурации "верхний + нижний" (Half-Bridge), что делает его идеальным для импульсных источников питания, преобразователей частоты, моторных приводов и других силовых электронных устройств.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение сток-исток (V_DSS)
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
• Быстрое переключение
• Встроенные демпферные диоды
• Изолированный корпус для улучшенного теплового режима

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Тип транзистора | N-канальный MOSFET (2 шт. в Half-Bridge) |
| Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 600 В |
| Макс. ток стока (I_D) | 8 А (на каждый транзистор) |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ≤ 1.2 Ом (при V_GS = 10 В) |
| Макс. мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт |
| Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В |
| Заряд затвора (Q_g) | 12 нКл (тип.) |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | 15 нс / 20 нс |
| Корпус | MultiWatt-8 (изолированный) |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и парт-номера:

• IXYS MUBW5006A8 (оригинал)
• IXYS MUBW5006B8 (аналог с улучшенными характеристиками)
• IRFB4229PbF (от Infineon, схожие параметры)
• STW20NM60FD (от STMicroelectronics, альтернатива)

Совместимые модели (для замены в схемах):

• IXYS IXFH8N100 (для похожих применений)
• IRF840 (в менее мощных схемах)
• FQP8N60C (аналог от Fairchild/ON Semi)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Преобразователи частоты (инверторы)
• Управление двигателями (H-мосты)
• Высоковольтные коммутационные схемы

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!