IXYS N1297NS260

Описание микросхемы IXYS N1297NS260

IXYS N1297NS260 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и систем управления двигателями.

Корпус TO-247 обеспечивает эффективный отвод тепла, а конструкция транзистора оптимизирована для минимизации потерь при переключении.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Ток стока (I_D) | 129 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_DM) | 390 А | | Сопротивление R_DS(on) | 260 мОм (при V_GS = 15 В) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 625 Вт (при 25°C) | | Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0.2 °C/Вт | | Заряд затвора (Q_g) | 270 нКл | | Время включения (t_d(on)) | 18 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 110 нс | | Корпус | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Прямые замены и аналогичные модели:

• IXYS IXFH129N07T2 (1200 В, 129 А, 260 мОм)
• IXYS IXFH129N07T (похожие параметры, другой корпус)
• Infineon IPW60R190P6 (600 В, но с улучшенными динамическими характеристиками)
• STMicroelectronics STW75N120 (1200 В, 75 А, альтернатива с меньшим током)
• Microsemi APT1207J (1200 В, 100 А, 270 мОм)

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• IRFP460 (500 В, 20 А, менее мощный)
• FDPF33N25 (250 В, 33 А, для низковольтных схем)
• IXFH100N20P (200 В, 100 А, альтернатива для средних напряжений)

Применение

• Импульсные источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи частоты
• Управление электродвигателями
• Системы резервного питания (UPS)
• Высоковольтные ключевые схемы

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам вашей схемы.