IXYS N1467NS200

IXYS N1467NS200 – Описание и технические характеристики

Описание

IXYS N1467NS200 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)), высокой скоростью переключения и устойчивостью к перегрузкам.
Используется в:

• Импульсных источниках питания (SMPS)
• DC-DC преобразователях
• Инверторах
• Управлении двигателями
• Силовой электронике

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (VDS) | 200 В | | Макс. ток стока (ID) | 146 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (IDM) | 580 А | | Сопротивление RDS(on) | 2.7 мОм (при VGS = 10 В) | | Напряжение затвор-исток (VGS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (PD) | 500 Вт (при 25°C) | | Корпус | TO-247 (TO-247AC) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода (Tj) | от -55°C до +175°C | | Заряд затвора (Qg) | 280 нКл (тип.) | | Время включения (ton) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 85 нс (тип.) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (похожие параметры):

• IXYS N1467NS200 (оригинал)
• IXFH146N20T (IXYS, 200 В, 146 А, 3.4 мОм)
• IRFP4568PbF (Infineon, 200 В, 130 А, 4.5 мОм)
• FDPF3865 (Fairchild/ON Semi, 200 В, 130 А, 3.8 мОм)
• STP200N20F7 (STMicroelectronics, 200 В, 200 А, 3.5 мОм)

Близкие по характеристикам:

• IRFP250N (200 В, 30 А, 75 мОм) – менее мощный
• IRFP260N (200 В, 50 А, 40 мОм)
• IXFN146N30P (300 В, 146 А, 6.5 мОм) – более высокое напряжение

Заключение

IXYS N1467NS200 – мощный MOSFET, подходящий для силовых преобразовательных устройств. Его аналоги могут быть использованы в схемах с похожими требованиями, но важно учитывать различия в сопротивлении RDS(on) и максимальном токе.

Если вам нужна замена, лучше проверять datasheet на соответствие параметрам вашей схемы.