IXYS N1718NS160

Описание и технические характеристики IXYS N1718NS160

Тип: N-канальный MOSFET
Назначение: Высоковольтный силовой транзистор для импульсных источников питания, инверторов, драйверов двигателей и других мощных приложений.

Основные параметры:

• Напряжение сток-исток (V_DSS): 1600 В
• Ток стока (I_D): 18 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_DM): 72 А
• Сопротивление сток-исток (R_DS(on)): 1.8 Ом (при V_GS = 15 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 4–6 В
• Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS): ±30 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 300 Вт (при 25°C)
• Корпус: TO-247 (3 вывода)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение пробоя (1600 В)
• Быстрое переключение
• Низкое сопротивление в открытом состоянии
• Защита от перегрева

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги:

• IXYS IXFH18N160
• IXYS IXFH18N160Q (улучшенная версия)
• STMicroelectronics STW18N160
• Infineon IPW60R160P7 (частично совместим)

Совместимые модели (по параметрам и применению):

• IRFP460 (900 В, 20 А) – для менее требовательных схем
• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
• IXGH20N160 (1600 В, 20 А)

Применение:

• Источники питания (SMPS)
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления двигателями
• Высоковольтные импульсные схемы

Если нужны более точные аналоги или схемы подключения, уточните условия эксплуатации (частоту переключений, тепловой режим и т. д.).