IXYS VB020-16N02

Описание и технические характеристики IXYS VB020-16N02

Общее описание

IXYS VB020-16N02 – это высоковольтный MOSFET-транзистор с N-каналом, предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, DC-DC преобразователях и других силовых электронных устройствах. Компонент отличается высокой скоростью переключения, низким сопротивлением открытого канала (R_DS(on)) и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 20 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 0.16 Ом (при V_GS = 10 В, I_D = 10 А) | | Макс. мощность (P_D) | 160 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 2–4 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~30 нКл | | Время включения (t_d(on)) | 12 нс | | Время выключения (t_d(off)) | 35 нс | | Корпус | TO-263 (D²PAK) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены для VB020-16N02:

• IRF3205 (International Rectifier)
• STP16NF06L (STMicroelectronics)
• FDP16N05 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRL3803 (International Rectifier)
• AOT20N60 (Alpha & Omega Semiconductor)

Примечание: При замене необходимо учитывать различия в параметрах (напряжение, ток, R_DS(on) и корпус).

Этот транзистор подходит для ремонта и модернизации устройств, где важны высокие переключающие характеристики и надежность.