IXYS VUB12012NO2T

Описание и технические характеристики IXYS VUB12012NO2T

Описание:
IXYS VUB12012NO2T – это высоковольтный MOSFET-транзистор с N-каналом, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, DC-DC преобразователей, инверторов и других мощных электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------|----------------------------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток стока (I_D) | 12 А (при 25°C) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.75 Ом (при V_GS = 10 В, I_D = 6 А) | | Напряжение затвор-исток (V_GS) | ±30 В | | Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт | | Тип корпуса | TO-263 (D²PAK) | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и альтернативные модели:

• IXYS VUB12012NO2 (похожий MOSFET от IXYS, но может отличаться корпусом)
• Infineon IPW60R120P7 (аналог с близкими характеристиками)
• STMicroelectronics STW12N120K5 (альтернатива с похожими параметрами)
• Fairchild (ON Semiconductor) FCH12N60 (менее мощный, но подходящий для некоторых применений)

Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры могут незначительно отличаться.

Если вам нужна дополнительная информация (например, графики характеристик или применение в схемах), уточните запрос.