IXYS VUB6012NO1

тел. +7(499)347-04-82
Описание IXYS VUB6012NO1
Описание и технические характеристики IXYS VUB6012NO1
VUB6012NO1 – это высоковольтный MOSFET-транзистор от IXYS (ныне Littelfuse), предназначенный для импульсных источников питания, инверторов, корректоров коэффициента мощности (PFC) и других силовых электронных устройств.
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение сток-исток (VDSS): 1200 В
- Ток стока (ID): до 6 А (при 25°C)
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)): 2.5 Ом (максимум)
- Быстрое переключение благодаря низкому заряду затвора
- Корпус: TO-220 (изолированный)
- Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
Технические характеристики:
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение сток-исток (VDSS) | 1200 В |
| Макс. ток стока (ID) | 6 А (25°C), 3.8 А (100°C) |
| Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) | 2.5 Ом (макс. при VGS = 10 В) |
| Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3–5 В |
| Макс. мощность рассеивания (PD) | 50 Вт |
| Заряд затвора (Qg) | 20 нКл (тип.) |
| Температура хранения и работы | -55°C … +150°C |
| Корпус | TO-220 (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- IXYS VUB6012NO1-1 (уточнённая версия)
- IXFK6N120 (аналог от IXYS с похожими характеристиками)
- STP6NB120 (STMicroelectronics)
- IRFPE50 (International Rectifier, 1000 В, но может заменяться в некоторых схемах)
Совместимые модели (с проверкой по datasheet):
- FQP6N120 (Fairchild/ON Semiconductor)
- 2SK3878 (Toshiba)
- HGTG6N120 (Microsemi)
При замене учитывайте: напряжение, ток, RDS(on) и заряд затвора.
Если нужна помощь с выбором аналога для конкретной схемы, уточните параметры!