IXYS VUB7016NO1

Описание и технические характеристики IXYS VUB7016NO1

Описание:
IXYS VUB7016NO1 – это мощный MOSFET-транзистор N-канального типа, разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (R_DS(on)) и высокой скоростью переключения, что делает его подходящим для импульсных источников питания, инверторов, DC-DC преобразователей и других силовых электронных устройств.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип транзистора | N-Channel MOSFET | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 600 В | | Максимальный ток стока (I_D) | 7 А | | Импульсный ток (I_DM) | 28 А | | Сопротивление R_DS(on) (при V_GS = 10 В) | 1.6 Ом | | Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3–5 В | | Максимальное напряжение затвор-исток (V_GS) | ±20 В | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 35 Вт (при T_C = 25°C) | | Корпус | TO-251 (IPAK) | | Температура хранения | -55°C до +150°C | | Скорость переключения | Высокая (низкие потери) |

Парт-номера и аналоги:

Прямые аналоги (cross-reference):

1. STMicroelectronics – STP6NK60Z
2. Infineon – IPA60R199CP
3. Fairchild (ON Semiconductor) – FQP6N60C
4. Vishay – IRF840 (менее мощный, но схожий по параметрам)

Совместимые модели (похожие характеристики):

• IXYS VUB7008NO1 (менее мощный, 500 В, 4.5 А)
• IXYS VUB7020NO1 (более мощный, 600 В, 10 А)
• IXYS IXFH7N60P3 (600 В, 7 А, TO-247)
• IXYS IXTA7N60P3 (600 В, 7 А, TO-220)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• DC-DC преобразователи
• Инверторы и драйверы двигателей
• Управление нагрузкой в промышленной электронике

Этот MOSFET отличается высокой надежностью и подходит для замены в ряде схем, где требуются аналогичные параметры по току и напряжению.