IXYS VUO110-12N07

Описание IXYS VUO110-12N07

IXYS VUO110-12N07 – это мощный MOSFET-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигательные системы и промышленные преобразователи энергии. Модуль выполнен в корпусе, обеспечивающем эффективное охлаждение и высокую надежность в тяжелых условиях эксплуатации.

Технические характеристики:

• Тип прибора: N-канальный MOSFET
• Максимальное напряжение (V_DSS): 1200 В
• Максимальный ток (I_D при 25°C): 110 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 440 А
• Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 12 мОм (при V_GS = 15 В)
• Напряжение затвор-исток (V_GS): ±20 В
• Рассеиваемая мощность (P_D): 500 Вт
• Тип корпуса: TO-247 (или аналогичный изолированный корпус)
• Температурный диапазон: -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги от IXYS:

• VUO110-12NO7 (альтернативное написание)
• VUO110-12N07-1 (модифицированная версия)
• IXFH110N12P (похожий MOSFET с близкими параметрами)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IPW60R045CP (аналог с похожими характеристиками)
• STMicroelectronics: STW110N12F3
• Vishay: IRFP460 (менее мощный, но может использоваться в некоторых схемах)
• ON Semiconductor: NTHL110N12SC1

Похожие модули (для замены в схемах):

• IXYS VMO 110-12N07 (другая серия, но с близкими параметрами)
• IXFN110N12P3 (альтернатива в другом корпусе)

Применение:

• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Инверторы для солнечных и ветровых электростанций
• Промышленные двигательные системы
• Сварочные аппараты
• Высоковольтные преобразователи

Если вам нужны дополнительные параметры или аналоги, уточните условия применения!