IXYS VUO120-12N01

Описание

IXYS VUO120-12N01 – это силовой полупроводниковый модуль, содержащий два MOSFET транзистора N-типа в конфигурации "верхний-нижний" (Half-Bridge). Модуль предназначен для высокочастотных импульсных преобразователей, инверторов, драйверов двигателей и других приложений с высокой мощностью и эффективностью.

Ключевые особенности:

✔ Высокое напряжение и ток
✔ Низкое сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on))
✔ Быстрое переключение
✔ Изолированный корпус для улучшенного теплоотвода
✔ Встроенные ультрабыстрые диоды

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Конфигурация | Half-Bridge (2 MOSFET) | | Макс. напряжение сток-исток (V_DSS) | 1200 В | | Макс. ток (I_D) | 120 А (при 25°C) | | Сопротивление открытого канала (R_DS(on)) | 12 мОм (тип.) | | Мощность рассеяния (P_tot) | 600 Вт (с учетом теплоотвода) | | Время включения (t_on) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 160 нс (тип.) | | Корпус | Изолированный модуль (ISOPLUS) | | Диапазон температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• IXYS VUO120-12N01 (основная модель)
• VUO120-12N01 (сокращенное обозначение)

Совместимые/аналогичные модели:

• Infineon FF1200R12IE5 (аналог с похожими параметрами)
• SEMIKRON SKM120GB12T4 (альтернативный модуль IGBT)
• Mitsubishi CM1200HC-24H (для высоковольтных применений)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Применение

🔹 Высоковольтные инверторы
🔹 Импульсные источники питания
🔹 Промышленные приводы двигателей
🔹 Сварочное оборудование
🔹 Системы возобновляемой энергетики

Нужны дополнительные данные? Готов уточнить! 🚀