IXYS VUO36-12NO7

Описание и технические характеристики IXYS VUO36-12NO7

Тип компонента: Высоковольтный MOSFET-модуль (IGBT + диод)
Назначение: Применяется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.

Основные технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Максимальный ток коллектора (I_C): 36 А (при 25°C)
• Ток коллектора в импульсе (I_CM): 72 А
• Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 2.1 В (при I_C = 36 А)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 200 нс
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-выводной)

Парт-номера и совместимые аналоги:

• Прямые аналоги от IXYS:
  • VUO36-12NO7 (оригинал)
  • VUO36-12NO7-1 (модификация)
• Аналоги от других производителей:
  • Infineon: IHW36N120R3
  • STMicroelectronics: STGW36NC120HD
  • Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• Частично совместимые модели (с проверкой распиновки и параметров):
  • IXYS VUO32-12NO7 (32 А, 1200 В)
  • IXYS VUO40-12NO7 (40 А, 1200 В)

Примечание: Перед заменой рекомендуется уточнить соответствие параметров и распиновки.