IXYS VUO5216NO1

IXYS VUO5216NO1 – это высоковольтный N-канальный MOSFET-транзистор с изолированным затвором, разработанный для применения в мощных импульсных источниках питания, инверторах и других высоковольтных системах.

Технические характеристики:

• Тип транзистора: N-Channel MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (V_DSS): 1600 В
• Максимальный ток стока (I_D) при 25°C: 5,3 А
• Максимальный импульсный ток (I_DM): 21 А
• Сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(on)): 6,5 Ом (при V_GS = 10 В)
• Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)): 3,5 В
• Максимальная мощность рассеяния (P_D): 150 Вт
• Корпус: TO-268 (изолированный)
• Температурный диапазон: от -55°C до +150°C

Альтернативные парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги или близкие по характеристикам:

• IXYS VUO5216NO7 (аналог с улучшенными параметрами)
• IXYS VUO5204NO1 (близкий по характеристикам, но с другим напряжением)
• IXFH5N160 (Fairchild, аналог с похожими параметрами)
• STF5N160 (STMicroelectronics, аналог)
• IRFP460 (International Rectifier, более старый аналог, но с меньшим напряжением)

Применение:

• Высоковольтные импульсные источники питания
• Инверторы и преобразователи
• Системы управления мощностью (SMPS)
• Медицинское оборудование

Если вам нужны более точные аналоги или дополнительные параметры, уточните условия использования.