IXYS VUO62-08N07

Описание IXYS VUO62-08N07

IXYS VUO62-08N07 – это мощный IGBT-модуль с ультрабыстрым диодом, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных преобразовательных приложений. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой эффективностью и надежностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (Ultrafast Diode) |
| Конфигурация | Одиночный (Single) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 800 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 62 А (при 25°C) |
| Ток импульса (I_CM) | 124 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.7 В (при I_C = 62 А) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 140 нс |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Аналоги от IXYS (Infineon):

• IXGH62N80C3
• IXGH62N80B3
• IXGH62N100C3 (1000 В версия)

Аналоги от других производителей:

• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA60N65SMD (Fairchild/ON Semi)
• STGW60H65DFB (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Индукционный нагрев

Модуль VUO62-08N07 обеспечивает высокую эффективность в силовых приложениях с частотой переключения до 50 кГц.