IXYS VUO62-12N07

IXYS VUO62-12N07: Описание и технические характеристики

Описание:
IXYS VUO62-12N07 – это N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе TO-247, предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений. Основные области применения: импульсные источники питания (SMPS), инверторы, DC-DC преобразователи, системы управления двигателями и другие силовые электронные устройства.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |------------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный MOSFET | | Корпус | TO-247 (TO-247AC) | | Максимальное напряжение (V_DSS) | 1200 В | | Максимальный ток (I_D) | 62 А (при 25°C) | | Сопротивление канала (R_DS(on)) | 0.12 Ом (при V_GS = 10 В) | | Мощность рассеяния (P_D) | 520 Вт (при 25°C) | | Напряжение затвора (V_GS) | ±30 В | | Заряд затвора (Q_g) | ~190 нКл | | Время включения (t_d(on)) | ~20 нс | | Время выключения (t_d(off)) | ~150 нс | | Диапазон рабочих температур | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (включая альтернативные производители):

• IXYS VUO62-12N07 (оригинал)
• IXFH62N12P (аналог от IXYS)
• IRFP460LC (International Rectifier, 500 В, 20 А, но может использоваться в некоторых схемах)
• STW62N12M2 (STMicroelectronics, 1200 В, 62 А)
• APT62M120J (Microsemi, 1200 В, 62 А)

Совместимые модели (по характеристикам):

• IXYS VUO82-12N07 (более высокий ток, 82 А)
• IXFH60N12P3 (IXYS, 1200 В, 60 А)
• FGH60N120SMD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 60 А)

Примечания:

• При замене аналогами следует учитывать параметры R_DS(on), заряда затвора и тепловые характеристики.
• Для оптимальной работы требуется эффективный теплоотвод (радиатор).

Если вам нужна дополнительная информация по применению или схемам, уточните запрос!