Infineon 02N80C3

Infineon 02N80C3
Артикул: 561571

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon 02N80C3

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые модели для мощного полевого MOSFET-транзистора Infineon SPP02N80C3.

Общее Описание

Infineon SPP02N80C3 — это N-channel MOSFET транзистор, изготовленный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Это ключевой компонент, предназначенный для высокоэффективных и высоконадежных импульсных источников питания (SMPS), особенно работающих в жестких условиях квазирезонансных (QR) и LLC-резонансных топологий.

Главные преимущества этой серии — рекордно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) для своего класса напряжения и высокая скорость переключения, что напрямую ведет к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД системы. Технология CoolMOS C3 также обеспечивает превосходную устойчивость к лавинным нагрузкам (ruggedness) и отличные характеристики по безопасной работе (SOA).


Основные Применения

  • Импульсные источники питания (SMPS) для:
    • ЖК-телевизоров, мониторов, аудио-видео аппаратуры
    • Адаптеры и зарядные устройства ноутбуков/серверов
    • Источники питания для игровых консолей и ПК
  • PFC-корректоры коэффициента мощности (часто в паре с диодом)
  • Инверторы и преобразователи постоянного тока
  • Промышленное оборудование

Ключевые Особенности и Преимущества

  • Технология CoolMOS™ C3: Обеспечивает оптимальный баланс между эффективностью, стоимостью и надежностью.
  • Сверхнизкое сопротивление открытого канала: Минимизирует conduction losses (потери на проводимость).
  • Высокая скорость переключения: Уменьшает switching losses (коммутационные потери).
  • Высокая эффективность: Идеален для энергоэффективных и экологичных решений (например, соответствующих стандартам ErP Lot 6).
  • Отличная устойчивость к лавинному пробою (100% tested): Высокая надежность и стойкость к перенапряжениям в苛刻ных условиях работы.
  • Низкий заряд затвора (Qg): Облегчает работу драйверу, снижая потери на управление.
  • Плавающий вывод истокa: Позволяет легко использовать в мостовых схемах.

Технические Характеристики (Electrical Characteristics)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | - | N-Channel MOSFET | - | | Сток-Исток напряжение | VDSS | 800 В | - | | Сопротивление сток-исток | RDS(on) | max. 0.38 Ом | VGS = 10 V, ID = 4 A | | | | max. 0.29 Ом | VGS = 15 V, ID = 8 A | | Постоянный ток стока | ID | 7.5 А | при TC = 25°C | | Импульсный ток стока | IDM | 30 А | - | | Пороговое напряжение затвора | VGS(th) | 3.0 - 5.0 В | VDS = VGS, ID = 1 mA | | Заряд затвора | Qg | ~ 28 нКл | VGS = 15 V, ID = 8 A | | Входная емкость | Ciss | ~ 1100 пФ | VDS = 100 V, VGS = 0 V, f = 1 МГц | | Время включения | td(on) | ~ 12 нс | - | | Время выключения | td(off) | ~ 45 нс | - | | Макс. рассеиваемая мощность | PD | 125 Вт | при TC = 25°C | | Корпус | - | TO-220 | - | | Температура перехода | TJ | -55 ... +150 °C | - |


Парт-номера и Совместимые Модели (Аналоги)

Аналоги подбираются по ключевым параметрам: напряжение 800В, ток >7А, низкое RDS(on) и корпус TO-220.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

  • IPW02N80C3 - Аналог в корпусе TO-247 (более мощный, с лучшим теплоотводом).
  • IPP02N80C3 - Аналог в корпусе D²PAK (TO-263).
  • SPP07N80C3 - Модель из той же линейки, но с бóльшим током (10.5А) и чуть более высоким RDS(on) (0.38 Ом при 10V). Часто используется в схожих применениях.
  • SPP11N80C3 - Еще более мощная версия (15А, 0.38 Ом).

Аналоги от других производителей (очень близкие по характеристикам):

  • STMicroelectronics: STW8N80K5, STP8N80K5 (линейка MDmesh™ K5)
  • ON Semiconductor: FCP8N80NT, FCP11N80NT (линейка SuperFET® II)
  • Vishay Siliconix: SIH8N80E-GE3 (линейка E-Series)
  • Toshiba: TK8A80W, TK11A80W (линейка DTMOSIV)

Важное примечание по совместимости: Несмотря на то, что приведенные модели являются очень близкими аналогами, перед заменой всегда необходимо сверяться с даташитами (datasheet). Особое внимание стоит уделять распиновке корпуса (pinout), значениям порогового напряжения (VGS(th)) и динамическим характеристикам (емкостям и заряду затвора), так как даже небольшие отличия могут повлиять на работу схемы управления (драйвера) и общую эффективность.

Товары из этой же категории