Infineon 08N80C3

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для силового MOSFET транзистора Infineon 08N80C3.

Общее описание

Infineon 08N80C3 — это N-канальный мощный MOSFET транзистор, выполненный по передовой технологии CoolMOS™ C3. Это третье поколение знаменитой линейки CoolMOS, которое обеспечивает выдающееся соотношение низкого сопротивления открытого канала (RDS(on)) и заряда затвора (Qg). Ключевая особенность — оптимизация для работы в жестком переключении (hard switching) на частотах выше традиционных, что делает его идеальным для современных импульсных источников питания (SMPS) с повышенной эффективностью и плотностью мощности.

Основное назначение: Применяется в силовой электронике, где требуется высокое напряжение, высокий КПД и надежность.

• Импульсные источники питания (SMPS): PFC-каскады, прямоходовые, двухтактные и мостовые преобразователи.
• Инверторы (например, для солнечных панелей).
• Источники бесперебойного питания (ИБП).
• Промышленные приводы.

Ключевые особенности и преимущества

• Технология CoolMOS C3: Оптимизирована для работы в режиме жесткого переключения, обеспечивая низкие коммутационные потери.
• Суперстеп (SuperJunction) структура: Позволяет достичь очень низкого удельного сопротивления для данного класса напряжения.
• Высокая эффективность: Отличный баланс между статическими (RDS(on)) и динамическими (Coss, Qg) потерями.
• Высокая надежность: Высокая стойкость к лавинным процессам (100% тестирование), устойчивость к динамическому вторичному пробою.
• Быстрый встроенный обратный диод: Уменьшает потери при обратном восстановлении.

Технические характеристики (ТТХ)

| Параметр | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Структура | N-канальный, Enhancement Mode | SuperJunction (CoolMOS) | | Напряжение "сток-исток" (VDSS) | 800 В | Максимальное постоянное напряжение | | Ток стока (ID) | 7.8 А | При Tc = 25°C | | Ток стока (ID) | 5.2 А | При Tc = 100°C | | Сопротивление открытого канала (RDS(on)) | 1.2 Ом (макс.) | При VGS = 10 В, ID = 4 А | | Заряд затвора (Qg) | ~22 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета потерь на управление | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Стандартный диапазон для управления | | Макс. напряжение "затвор-исток" (VGSS) | ±30 В | | | Входная емкость (Ciss) | ~1200 пФ (тип.) | | | Выходная емкость (Coss) | ~65 пФ (тип.) | При VDS = 400 В (важно для потерь при переключении) | | Энергия обратного восстановления (Earr) | Низкая | Характерно для технологии C3 | | Корпус | TO-220 | Изолированный или неизолированный вариант (уточняется в заказном коде) | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура | | Тепловое сопротивление (RthJC) | ~1.4 К/Вт | Корпус-переход | | Стойкость к лавинной энергии (EAS) | > 400 мДж | Указывает на высокую надежность при перенапряжениях |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги от Infineon

Один и тот же кристалл может поставляться в разных корпусах или с разной маркировкой. Основные варианты:

• SPP08N80C3 – Стандартный парт-номер для корпуса TO-220.
• IPU08N80C3 – Вариант в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с лучшей изоляцией).
• IPP08N80C3 – Вариант в корпусе TO-220 Plus (с увеличенной площадью теплоотвода).
• 08N80C3 – Упрощенная маркировка на корпусе самого транзистора.

Совместимые модели / Прямые аналоги

При поиске замены или аналога необходимо учитывать напряжение (800В), ток (~7-8А), сопротивление RDS(on) (~1.2 Ом) и, что критично, технологию (C3 или аналогичную).

Аналоги от других производителей (сопоставимого класса):

• STMicroelectronics: STP8N80K5 (тоже 800В, 7.2А, RDS(on)=1.2 Ом, технология MDmesh™ K5 — аналог CoolMOS C3).
• ON Semiconductor: FCP8N80 (800В, 7.5А, RDS(on)=1.2 Ом, технология SuperFET® III).
• Fairchild/ON Semi: FCP8N80 (унаследован от Fairchild).
• Vishay: SUP8N80-16 (800В, 7.5А, RDS(on)=1.16 Ом).
• Toshiba: TK8A80W (800В, 8А, RDS(on)=1.1 Ом).

Аналоги из других поколений CoolMOS (для понимания эволюции):

• CoolMOS C6 / C7 / G7: Более новые поколения (C6/G7 для жесткого переключения, C7 для резонансных схем). Они имеют лучшие параметры, но могут отличаться по цене и наличию. Прямая замена не всегда возможна без пересчета драйвера из-за разного Qg.
  • Например: IPP08N80C6 (более низкие потери, но другой баланс емкостей).
• CoolMOS CP / P6 / P7: Поколения, оптимизированные для легкого переключения (например, LLC-резонансные преобразователи). Не являются прямым аналогом для 08N80C3 в схемах с жестким переключением (PFC, Flyback), так как имеют другую структуру выходной емкости (Coss).

Важное замечание по замене

Хотя электрические параметры (Vds, Id, Rds) у аналогов могут совпадать, динамические характеристики (Qg, Coss, Earr) могут значительно отличаться. Перед заменой, особенно в высокочастотных схемах, необходимо:

1. Сравнить графики ключевых динамических параметров.
2. Проверить, достаточно ли тока драйвера для управления новым транзистором.
3. В критичных по эффективности схемах провести тестирование.

Вывод: Infineon 08N80C3 — это проверенный, надежный и эффективный транзистор для построения мощных импульсных блоков питания на напряжение до 800В. Его прямые аналоги существуют у всех крупных производителей, но при замене важно учитывать нюансы технологии и динамических параметров.