Infineon 11N80

Отличный выбор транзистора! Infineon 11N80 — это мощный и надежный N-канальный MOSFET, широко используемый в импульсных источниках питания, схемах управления двигателями и других силовых приложениях.

Вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости.

Описание

Infineon 11N80 — это MOSFET-транзистор, изготовленный по передовой технологии Super Junction (CoolMOS™), которая обеспечивает исключительно низкое сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on)) при высоком рабочем напряжении. Это ключевое преимущество, так как оно приводит к значительному снижению коммутационных потерь и повышению общего КПД конечного устройства.

• Основное назначение: Ключевой элемент в схемах, где требуется эффективное переключение высоких напряжений (например, в PFC-каскадах, мостовых и прямоходовых топологиях ИИП, инверторах).
• Ключевые преимущества:
  • Высокое напряжение сток-исток: 800В.
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии: 0.38 Ом.
  • Высокая скорость переключения благодаря низким емкостям.
  • Высокая стойкость к лавинному пробою (Avalanche Rugged), что повышает надежность в жестких условиях работы.
• Корпус: Выпускается в популярном и удобном для монтажа корпусе TO-220.

Технические характеристики (основные)

Параметр | Значение | Условия / Примечание :--- | :--- | :--- Тип транзистора | N-канальный MOSFET (Enhancement Mode) | — Технология | CoolMOS™ | Super Junction Напряжение "сток-исток" (V_DSS) | 800 В | Максимальное Максимальный постоянный ток стока (I_D) | 11 А | При T_C = 25°C Сопротивление "сток-исток" в открытом состоянии (R_DS(on)) | 0.38 Ом (макс.) | При V_GS = 10 В, I_D = 5.5 А Пороговое напряжение затвора (V_GS(th)) | 3.0 - 5.0 В | Тип. 4.0 В Заряд затвора (Q_g) | ~ 50 нКл | Типовое значение, влияет на драйвер Время включения (t_d(on) + t_r) | ~ 28 нс | Типовое Время выключения (t_d(off) + t_f) | ~ 65 нс | Типовое Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | На идеальном радиаторе (при T_C = 25°C) Температура перехода (T_j) | -55 ... +150 °C | Рабочий диапазон Корпус | TO-220 | Изолированный (Full-Pak) и неизолированный

Part-номера (артикулы Infineon)

Транзистор выпускается в нескольких вариантах корпуса и упаковки. Основные парт-номера:

1. SPP11N80C3 — Стандартный вариант в корпусе TO-220. Наиболее распространен.
2. IPD11N80C3 — Аналогичный транзистор в корпусе D²PAK (TO-263), для поверхностного монтажа (SMD).
3. SPP11N80C3FKSA1 — Вариант в корпусе TO-220 FullPAK (полностью пластиковый, с изолированной задней металлической пластиной для упрощения монтажа на радиатор без изоляционной прокладки).

Примечание: Буква "C3" в номере указывает на принадлежность к третьему поколению технологии CoolMOS.

Совместимые и аналогичные модели от других производителей

При замене важно сверять не только основные параметры (V_DSS, I_D, R_DS(on)), но и динамические характеристики (заряд затвора, емкости) для корректной работы схемы.

Прямые аналоги (очень близкие по параметрам):

• STMicroelectronics: STP11N80K5, STW11N80 (более старая серия). Обратите внимание, что у STP11N80K5 R_DS(on) ниже (0.35 Ом), что делает его даже немного лучше.
• ON Semiconductor (Fairchild): FCP11N80, FCP11N80S. Модели из серии SuperFET.
• Vishay (Siliconix): SiHF11N80E (серия E-Series).
• Power Integrations: Не производят прямые аналоги, но имеют интегральные решения.

Близкие по характеристикам (могут потребовать проверки в схеме):

• IR (International Rectifier): IRFB11N80A (более старая технология HEXFET, обычно с более высоким R_DS(on)).
• Toshiba: TK11N80W (селья W-series).
• NXP (Philips): Не имеют точного аналога, но можно подобрать из серии MOSFET 800В.
• Chinese manufacturers (HJ, CR): Часто маркируются просто как 11N80. Могут быть полными клонами, но их параметры, особенно при граничных условиях, могут отличаться от оригинала. Использовать в ремонте ответственной техники следует с осторожностью.

Рекомендации по замене:

1. При ремонте: Лучше всего искать оригинальный SPP11N80C3 или его прямой аналог от ST (STP11N80K5) или ON Semiconductor (FCP11N80).
2. При проектировании: Всегда проверяйте даташиты на соответствие не только статических, но и динамических параметров, а также характеристик внутреннего диода (если он используется в схеме).
3. Осторожно с "no-name" аналогами: Их использование может привести к снижению КПД, перегреву или выходу из строя из-за более низкой стойкости к лавинному пробою.

Этот транзистор является отличным примером баланса между ценой, надежностью и производительностью, что и обеспечило его широкую популярность на рынке.