Infineon 12N50C3

Отличный выбор! Infineon 12N50C3 — это классический и надежный силовой MOSFET-транзистор, широко использовавшийся в импульсных блоках питания, балластах для люминесцентных ламп, DC-DC преобразователях и других силовых приложениях.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

Infineon 12N50C3 — это N-канальный MOSFET, изготовленный по передовой на момент выпуска технологии CoolMOS™ C3. Эта линейка была оптимизирована для достижения лучшего баланса между низким сопротивлением в открытом состоянии (RDS(on)) и зарядом затвора (Qg), что делает его эффективным ключом в высокочастотных импульсных схемах. Транзистор заключен в популярный корпус TO-220, удобный для монтажа на радиатор.

Основная сфера применения:

• Импульсные источники питания (SMPS) средней мощности
• Электронные балласты (ЭПРА) для освещения
• Преобразователи DC-DC
• Силовые инверторы
• Управление нагрузкой (моторы, соленоиды)

Ключевые технические характеристики (ТХ)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип транзистора | N-канальный MOSFET (CoolMOS C3) | Обладает внутренним защитным диодом "body diode" | | Корпус | TO-220 | Классический силовой корпус | | Сток-Исток напряжение (VDSS) | 500 В | Максимальное напряжение, которое можно приложить | | Непрерывный ток стока (ID при 25°C) | 12 А | При идеальных условиях охлаждения | | Импульсный ток стока (IDM) | 48 А | Кратковременная перегрузка | | Сопротивление откр. канала (RDS(on)) | 0.35 Ом (макс.) при VGS=10 В | Ключевой параметр, определяет потери на проводимость | | Пороговое напряжение затвора (VGS(th)) | 3 - 5 В | Типичное ~4 В | | Заряд затвора (Qg) | ~ 45 нКл (тип.) | Влияет на скорость переключения и потери на управление | | Макс. рассеиваемая мощность (PD) | 156 Вт | Внимание! При температуре корпуса 25°C и на радиаторе | | Температура перехода (Tj) | -55 ... +150 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Крутизна (gfs) | 24 См (тип.) | |

Важное примечание по мощности: Указанные 156 Вт — это теоретический максимум при идеальном охлаждении. На практике, без массивного радиатора, реальная рассеиваемая мощность редко превышает 40-75 Вт из-за теплового сопротивления.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Этот транзистор выпускался под разными обозначениями, а также имеет множество прямых или функциональных аналогов от других производителей.

1. Прямые аналоги Infineon (включая старые обозначения)

• SPP12N50C3 — то же самое, но может указываться в каталогах дистрибьюторов.
• 12N50C3 — основное и самое распространенное название.
• Ранее компания называлась Siemens (полупроводниковое подразделение), затем Infineon.

2. Совместимые модели / Функциональные аналоги от других производителей

Важно: При замене всегда проверяйте распиновку (pinout) и характеристики, особенно заряд затвора (Qg) и емкости, если схема высокочастотная.

| Производитель | Модель | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | STMicroelectronics | STP12N50M2, STP12N50M6, STP12N50K5 | STP12N50M2 — очень популярный и близкий аналог. | | Fairchild / ON Semi | FQP12N50C, FQA12N50C | FQP12N50C — частый аналог в корпусе TO-220. | | Vishay / Siliconix | IRFPE50, SUP12N50-21 | | | International Rectifier (IR) | IRFPE50, IRFB12N50A | | | NXP (Philips) | BUK12N50-60C | | | Toshiba | 2SK3562 | | | Power Integration | (не прямой аналог) | Используется в их интегральных решениях. |

3. Близкие по параметрам модели (можно рассматривать для замены в SMPS)

Если нужна замена в блоке питания, часто можно ставить транзистор с равным или большим напряжением и током, и равным или меньшим RDS(on).

• 10N60C3 (10А, 600В) — если нужно больше запас по напряжению.
• 13N50C3 (13А, 500В) — чуть больший ток.
• 11N50C3 (11А, 500В) — чуть меньший ток.
• FQP13N50 (13А, 500В) от ON Semi.

Рекомендации по использованию и замене

1. Проверка при ремонте: Часто выходит из строя вместе с элементами обвязки (драйвером, снабберами, выпрямителями). Всегда проверяйте цепь затвора (резистор, стабилитрон) и цепь стока (снаббер).
2. Управление: Для полного открытия рекомендуется напряжение на затворе VGS = 10 В. Хотя он начинает открываться с 3-5В, при 10В гарантируется минимальное RDS(on).
3. Радиатор: Обязательно используйте теплоотвод (радиатор) с термопастой при работе с большими токами или в импульсных режимах.
4. ESD-защита: MOSFET чувствителен к статическому электричеству. Соблюдайте меры предосторожности.
5. Замена аналогом: При выборе аналога для ремонта SMPS чаще всего достаточно совпадения по напряжению (500В) и току (12А). Модели STP12N50M2 или FQP12N50C являются наиболее распространенной и успешной заменой для 12N50C3.

Данный транзистор зарекомендовал себя как "рабочая лошадка" в силовой электронике 2000-х — начала 2010-х годов и до сих пор находит применение в ремонте и новых конструкциях.