Infineon 2A50HB12C1U

Отличный выбор! Infineon 2A50HB12C1U — это классический и очень популярный IGBT-транзистор в корпусе TO-247. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание

Infineon 2A50HB12C1U — это дискретный IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) третьего поколения (TrenchStop IGBT3), предназначенный для высокоэффективной и надежной работы в силовых ключевых режимах. Он сочетает в себе низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и высокую стойкость к короткому замыканию.

Ключевые особенности и применение:

• Технология TrenchStop 3: Обеспечивает оптимальный баланс между низкими коммутационными потерями и низким напряжением насыщения, что повышает общую эффективность.
• Быстрый внутренний диод: В корпус интегрирован антипараллельный диод с мягким восстановлением (Emitter Controlled 4 - EC4), что позволяет использовать его в инверторных и мостовых схемах без необходимости во внешних диодах.
• Высокая надежность: Корпус с гальванической изоляцией (изолированный фланец) для упрощения монтажа на радиатор.
• Основные области применения: Широко использовался и продолжает использоваться в:
  • Частотные преобразователи (ПЧ, инверторы)
  • Источники сварочного тока (инверторные сварочные аппараты)
  • Системы управления электродвигателями
  • Импульсные источники питания (особенно мощные)
  • Системы ИБП (UPS)

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CES = 1200 В | Максимальное рабочее напряжение | | Постоянный ток коллектора | I_C @ 25°C = 50 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (импульсный) | I_CM = 100 А | | | Напряжение насыщения | V_CE(sat) ≈ 2.0 В | Типовое значение при I_C=50А, V_GE=15В | | Пороговое напряжение затвора | V_GE(th) = 5.0 - 6.8 В | | | Рабочее напряжение затвор-эмиттер | V_GE = ±20 В (макс.) | Рекомендуемое: +15В для включения, -5...-15В для выключения | | Энергия включения/выключения | E_on ≈ 4.0 мДж, E_off ≈ 2.5 мДж | Зависит от условий теста | | Стойкость к короткому замыканию | t_sc = 10 мкс | Время, которое модуль может выдержать КЗ | | Тепловое сопротивление переход-корпус | R_thJC = 0.35 К/Вт | | | Температура перехода | T_j max = +175 °C | Максимальная рабочая температура кристалла | | Корпус | TO-247 (Isolated) | С изолированным (пластиковым) фланцем |

Парт-номера и совместимые модели (прямые аналоги)

Этот транзистор имеет несколько обозначений и множество аналогов от других производителей. При замене всегда рекомендуется сверяться с даташитом, особенно по распиновке и характеристикам диода.

Парт-номера Infineon (тот же кристалл, разные корпуса/маркировки):

• 2A50HB12C1U (основной, изолированный фланец)
• 2A50HB12C1 (возможно, с неизолированным фланцем, требует изолирующей прокладки)
• В старых каталогах мог встречаться как часть серии IHW50N120R3 или подобной. R3 указывает на поколение.

Прямые аналоги от других производителей (с близкими параметрами Vce=1200В, Ic=40-50А):

• Fairchild / ON Semiconductor:
  • FGA50N120FTD (очень популярный и часто взаимозаменяемый аналог, также с изолированным корпусом)
  • HGTG50N120B3D
• STMicroelectronics:
  • STGW50HF120S (серия с низкими потерями)
  • STGP50HF120S (в корпусе TO-247)
• Fuji Electric:
  • 2MBI50N-120
• Toshiba:
  • GT50QR121 (более старая модель)

Важные замечания по замене и совместимости:

1. Корпус: Обращайте внимание на изоляцию фланца. Модели с индексом U (или Insulated, Isolated) имеют внутреннюю изоляцию. Если в вашей схеме фланец не заземлен и используется изолирующая прокладка, можно ставить и неизолированную версию (например, 2A50HB12C1).
2. Характеристики диода: Параметры встроенного обратного диода (время восстановления, ток) могут отличаться у аналогов. Это критично для схем с высокой частотой переключения (свыше 10-15 кГц).
3. Емкость затвора и управление: Для прямого выхода (drop-in replacement) лучшим выбором является FGA50N120FTD. Остальные аналоги требуют проверки по даташитам.
4. Поколения: Более новые аналоги (например, от ST серии HF, или Infineon серии 4) могут иметь лучшие параметры по потерям, но могут быть чувствительнее к помехам по затвору.

Рекомендация: При ремонте, если позволяет плата, лучше всего искать оригинальный 2A50HB12C1U или проверенный аналог FGA50N120FTD. При разработке нового устройства стоит рассмотреть более современные модели 4-го или 5-го поколения (например, Infineon IGW50T120, ST IGW50N120H3), которые часто имеют лучшую эффективность в меньшем корпусе (TO-247 Plus, TO-264).