Infineon 2N7002

Конечно. Вот подробное описание транзистора 2N7002 от Infineon, его характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon 2N7002 — это популярный N-канальный MOSFET (металло-оксид-полупроводниковый полевой транзистор) в маломощном корпусе. Он предназначен для коммутации низковольтных и слаботочных нагрузок в различных электронных схемах.

Ключевые особенности и применение:

• Назначение: Коммутация сигналов низкого уровня, управление реле, светодиодами, двигателями постоянного тока, цифровая логика, интерфейсы, защита цепей, выбор данных (мультиплексирование) в шинах.
• Преимущества:
  • Управление напряжением: Полностью управляется напряжением на затворе, что значительно упрощает схему управления по сравнению с биполярными транзисторами, которым нужен ток базы.
  • Высокое входное сопротивление: Практически не потребляет ток от управляющей цепи (например, от вывода микроконтроллера).
  • Высокая скорость переключения: Позволяет работать в импульсных режимах на относительно высоких частотах.
  • Низкое пороговое напряжение (V_GS(th)): Может эффективно управляться напряжением от стандартных логических уровней (3.3 В или 5 В) от микроконтроллеров, CMOS- и TTL-логики.
  • Малый размер: Корпус SOT-23 идеален для компактных печатных плат.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При T_j = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 60 | В | Максимальное напряжение между стоком и истоком | | Ток стока (непрерывный) | I_D | 340 | мА | Максимальный постоянный ток через транзистор | | Сопротивление "сток-исток" во включ. состоянии | R_DS(on) | 5.0 (макс.) | Ом | V_GS = 10 В, I_D = 100 мА | | | | 6.5 (макс.) | Ом | V_GS = 4.5 В, I_D = 100 мА | | | | 8.0 (макс.) | Ом | V_GS = 2.5 В, I_D = 50 мА | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 0.8 - 3.0 | В | I_D = 1 мА, V_DS = V_GS | | Входная емкость | C_iss | 30 | пФ | V_DS = 25 В, V_GS = 0 В, f = 1 МГц | | Макс. мощность рассеяния | P_tot | 250 | мВт | При T_amb = 25°C |

Корпус: SOT-23 (Small Outline Transistor). Трехвыводной корпус для поверхностного монтажа (SMD). Распиновка (вид сверху на маркировку):

   1   2   3
  |_| |_| |_|
   |   |   |
  G   D   S

• 1 вывод: Затвор (Gate)
• 2 вывод: Сток (Drain)
• 3 вывод: Исток (Source)

Парт-номера (Part Numbers) и маркировка

Infineon и другие производители часто используют свои внутренние коды для одного и того же компонента.

• Полное название: 2N7002
• Код маркировки на корпусе SOT-23: 2T или 2T[код даты]
• Парт-номер Infineon для заказа: Обычно указывается как 2N7002 или может иметь суффиксы, указывающие на упаковку (например, Tape & Reel). Полный номер для автоматизированного монтажа может выглядеть так: 2N7002XKSA1

Совместимые модели и прямые аналоги (Alternatives)

2N7002 — это стандартизированный компонент, который выпускают десятки производителей. Большинство аналогов являются полными или очень близкими прямыми заменами (drop-in replacement).

Прямые аналоги от других ведущих производителей:

• ON Semiconductor: 2N7002 (маркировка 2T)
• Diodes Incorporated: 2N7002 (маркировка 2T)
• Nexperia: 2N7002 (маркировка 2T)
• Vishay (Siliconix): 2N7002 (маркировка 2T)
• STMicroelectronics: 2N7002 (маркировка 2T)

Близкие аналоги с улучшенными характеристиками (сверхмаломощные логические MOSFET):

Эти аналоги имеют еще более низкое пороговое напряжение и сопротивление R_DS(on) при низких напряжениях затвора (1.8В, 2.5В, 3.3В), что делает их идеальными для прямого управления от современных микроконтроллеров. Они часто являются лучшим выбором для новых проектов.

• Infineon: BSV52R, BSS123 (обратите внимание: у BSS123 напряжение V_DSS = 100В, но меньший ток)
• Diodes Inc.: DMG2305L (более современный и эффективный)
• ON Semiconductor: NVTFS4C10N (очень низкое R_DS(on))
• Nexperia: PMV65XN (серия "TrenchMOS", высокоэффективная)

Важное примечание по совместимости: Несмотря на то, что большинство 2N7002 взаимозаменяемы, перед заменой в критичных по току или напряжению схемах всегда сверяйтесь с даташитом конкретного производителя, особенно обращая внимание на графики зависимости R_DS(on) от напряжения затвора (V_GS), так как этот параметр может незначительно, но критично отличаться.