Infineon 3B2065P-2

Infineon 3B2065P-2

Описание: Infineon 3B2065P-2 — это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в популярном корпусе TO-247. Он предназначен для применения в мощных импульсных преобразователях, инверторах, системах управления электроприводом (например, в сварочных аппаратах, частотных преобразователях, источниках бесперебойного питания) и других устройствах, требующих высокоэффективного переключения больших токов.

Ключевая особенность этой серии — технология TrenchStop, которая обеспечивает низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) и высокую стойкость к перегрузкам по току и короткому замыканию. Это повышает общую эффективность и надежность конечного устройства.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Тип прибора | NPT IGBT с TrenchStop технологией | NPT — непрокрашенная технология | | Корпус | TO-247 | | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) | 600 В | Максимальное напряжение, которое может выдержать прибор в закрытом состоянии | | Непрерывный ток коллектора (Ic @ 25°C) | 40 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора импульсный (Icm) | 80 А | Максимальный кратковременный пиковый ток | | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) | ~1.85 В (тип.) | При Ic=20A, Vge=15В. Показывает потери проводимости (чем ниже, тем лучше). | | Пороговое напряжение затвора (Vge(th)) | 4.5 - 6.5 В | Напряжение, при котором транзистор начинает открываться | | Энергия включения/выключения (Eon/Eoff) | ~1.8 мДж / ~0.7 мДж (тип.) | При указанных условиях в даташите. Определяет динамические (коммутационные) потери. | | Максимальная температура перехода (Tj) | +175 °C | | | Встроенный обратный диод | Есть (быстровосстанавливающийся) | Позволяет работать с индуктивной нагрузкой. Параметры диода: If=40A, Vf=1.7В. |

Парт-номера (Part Numbers) и прямые аналоги:

Данный компонент является частью серии IKW40N65H5 от Infineon. Поэтому его основное и полное обозначение:

• IKW40N65H5 (это полный и основной парт-номер для поиска)
• 3B2065P-2 — это, вероятно, внутренний код партии, производственный лот или устаревшая маркировка. Для заказа и поиска аналогов всегда следует использовать IKW40N65H5.

Совместимые модели / Аналоги от других производителей:

При поиске замены необходимо сверять ключевые параметры: Vces=600В, Ic=40А, корпус TO-247, а также характеристики Vce(sat) и динамические потери.

• STMicroelectronics:
  • STGW40H65DFB (с очень быстрым софт-восстанавливающимся диодом)
  • STGW40NC60VD (более старая, но проверенная серия)
• Fuji Electric:
  • 2MBI40N-065 (модуль из двух IGBT, но с аналогичными характеристиками кристалла)
• ON Semiconductor / Fairchild:
  • FGH40N60SMD (с использованием суперджекшн технологии)
• IXYS (Littelfuse):
  • IXGH40N60C2D1

Важные замечания:

1. Замена должна производиться с проверкой по даташиту. Перед установкой аналога необходимо сравнить не только основные параметры, но и характеристики диода, емкость затвора, зависимость Vce(sat) от тока и температуры.
2. Управление. Для оптимальной работы IGBT этого класса обычно требуется драйвер затвора с током 1-2А для минимизации времени переключения.
3. Охлаждение. Из-за значительной рассеиваемой мощности обязательным является использование радиатора соответствующего размера с термопастой.