Infineon BAT60AE6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги для диода Infineon BAT60AE6327.

Описание

Infineon BAT60AE6327 — это кремниевый диод Шоттки, выполненный в сверхмалом корпусе SOD-323 (SC-76). Он принадлежит к серии BAT60A, которая характеризуется очень малым прямым падением напряжения (Vf) и крайне высоким быстродействием.

Основное назначение:

• Выпрямление сигналов высокой частоты (ВЧ-цепи).
• Детектирование сигналов (например, в схемах демодуляции).
• Смещение и подстройка в высокочастотных усилителях.
• Защита входов чувствительной аппаратуры (например, из-за малой емкости).
• Коммутация в высокоскоростных импульсных схемах.

Ключевые преимущества:

• Низкое прямое падение напряжения: порядка 0.36 В при 1 мА, что минимизирует потери мощности.
• Малая собственная емкость: всего 0.8 пФ при 0 В, что позволяет ему эффективно работать на очень высоких частотах (до единиц ГГц).
• Сверхмалый корпус: идеален для компактных и плотных печатных плат.
• Высокая эффективность.

Технические характеристики (Electrical Characteristics)

При условии Tj = 25 °C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Условия | Значение | Единица измерения | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Обратное напряжение | V_R | I_R = 10 мкА | 30 | В | | Прямое напряжение | V_F | I_F = 1 мА | 0.36 | В | | | | I_F = 10 мА | 0.55 | В | | Обратный ток | I_R | V_R = 15 В | 0.1 | мкА | | | | V_R = 15 В, Tj = 100 °C | 10 | мкА | | Емкость перехода | C_j | V_R = 0 В, f = 1 МГц | 0.8 | пФ | | Максимальный постоянный прямой ток | I_F | | 100 | мА | | Температура перехода | T_j | | -55 ... +125 | °C | | Тепловое сопротивление (корпус-окружающая среда) | R_thJA | | 600 | K/Вт |

Прочие данные:

• Диэлектрическая прочность (изоляции): > 1000 В (переменный ток)
• Корпус: SOD-323 (также известен как SC-76)
• Материал: Свинец (Pb)-free, соответствует RoHS

Парт-номер (Part Number) и маркировка

• Полный парт-номер: BAT60AE6327HTSA1
  • BAT60A — серия диода Шоттки.
  • E — вариант характеристик (в данном случае с низким Vf).
  • 6327 — часто указывает на типоразмер корпуса и упаковку.
  • HTSA1 — код производственной партии/версии.
• Короткое/основное обозначение: BAT60AE6327
• Маркировка на корпусе: На очень маленьком корпусе SOD-323 нанесена кодовая маркировка, обычно одна буква или символ. Для точной идентификации необходимо обращаться к документации (даташиту) от Infineon.

Совместимые модели и аналоги (Alternatives)

Следующие диоды являются прямыми или близкими аналогами по характеристикам и корпусу. Перед заменой всегда сверяйтесь с даташитами на предмет незначительных отличий в параметрах!

Прямые аналоги (с тем же корпусом SOD-323 и схожими параметрами):

• Nexperia:
  • BAT60J, BAT60K — очень похожие диоды из той же линейки. Могут иметь незначительные отличия в Vf или емкости.
  • BAS16W — хотя это не диод Шоттки, а быстрый выпрямительный диод, он часто используется в аналогичных ВЧ-приложениях и совпадает по распиновке.
• ON Semiconductor:
  • MBR0530T1G — диод Шоттки на 30 В, 500 мА, но в корпусе SOD-123 (немного больше, требует проверки посадочного места).
  • 1N5711WS — популярный ВЧ-диод Шоттки в корпусе SOD-323. Отличная прямая замена.
• Skyworks:
  • SMS7621-005 — высокочастотный диод Шоттки с очень низкой емкостью.
• Rohm Semiconductor:
  • RB160MM-30 / RB161MM-30 — диоды Шоттки в корпусе SOD-323.
• Diodes Incorporated:
  • DMMT3906W — но это транзистор, важно не перепутать. Ищите именно диоды серии SD или DS.
  • BAT54SW — двойной диод Шоттки в корпусе SOT-323 (не подходит по корпусу, но функционально похож).

Ключевые параметры для поиска аналога:

При поиске замены обращайте внимание на:

1. Корпус: SOD-323 (SC-76).
2. Максимальное обратное напряжение (V_R): ≥ 30 В.
3. Прямой ток (I_F): ~ 100 мА.
4. Емкость перехода (C_j): < 1.5 пФ (чем меньше, тем лучше для ВЧ).
5. Прямое падение напряжения (V_F): ~ 0.35-0.5 В при 1 мА.

Важно: Указанные аналоги могут иметь незначительные отличия в таких параметрах, как обратный ток (I_R) при высокой температуре или тепловое сопротивление. Для критичных к параметрам схем всегда рекомендуется проводить сравнительный анализ даташитов.