Infineon BC858AE6327

Отличный выбор транзистора! Infineon BC858AE6327 — это маломощный PNP-биполярный транзистор общего назначения (BJT) в миниатюрном корпусе SOT-23, широко используемый в переключающих и усилительных схемах.

Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

BC858AE6327 — это кремниевый PNP-транзистор, предназначенный для применения в низковольтных и слаботочных цепях. Он является частью серии BC858, которая характеризуется высоким коэффициентом усиления по току (hFE), низким напряжением насыщения и хорошей частотной характеристикой. Буква "A" в маркировке указывает на группу усиления. Корпус SOT-23 делает его идеальным для компактной современной электроники.

Основные области применения:

• Усилители тока и напряжения (аудио-предусилители, датчики)
• Ключи для управления реле, светодиодами, другими маломощными нагрузками
• Инверторы и логические схемы
• Генераторы сигналов
• Буферные каскады
• Повсеместно используется в потребительской электронике, IoT-устройствах, источниках питания, материнских платах.

Ключевые технические характеристики (Ta = 25°C, если не указано иное)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | PNP | Биполярный транзистор | | Корпус | — | SOT-23 | 3 вывода, поверхностный монтаж | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -30 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -30 В | Максимальное постоянное напряжение | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 В | Максимальное постоянное напряжение | | Постоянный ток коллектора | I_C | -100 мА | Максимальный средний ток | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 250 мВт | При температуре окружающей среды ≤ 25°C | | Коэффициент усиления по току (hFE) | — | ~125 - 260 | Группа "A": V_CE = -5 В, I_C = -2 мА | | Частота перехода | f_T | ~200 МГц типовое | Показатель высокочастотных свойств | | Напряжение насыщения Коллектор-Эмиттер | V_CE(sat) | ~ -0.25 В макс. | I_C = -100 мА, I_B = -5 мА | | Напряжение насыщения База-Эмиттер | V_BE(sat) | ~ -0.9 В макс. | I_C = -100 мА, I_B = -5 мА | | Температура перехода | T_j | от -55 до +150 °C | Рабочий диапазон |

Важное примечание по группе усиления (hFE):

• BC858A (как в нашем случае): hFE = 125 - 260
• BC858B: hFE = 200 - 450
• BC858C: hFE = 420 - 800 При выборе аналога или замены группа усиления должна совпадать для сохранения параметров схемы.

Парт-номера (Ordering Codes / Part Numbers)

У одного и того же транзистора может быть несколько коммерческих обозначений в зависимости от упаковки (катушка, россыпь).

• BC858AE6327 — Основной парт-номер от Infineon. Расшифровка:
  • BC858 — базовая серия.
  • A — группа усиления.
  • E6 — часто указывает на корпус SOT-23.
  • 327 — внутренний код производителя/упаковки.
• BC858AE6327HTSA1 — Полный номер для заказа, может включать информацию о ленте и катушке (Tape & Reel).

Совместимые модели и прямые аналоги (Перед заменой проверяйте распиновку!)

Аналоги можно разделить на две категории: полные аналоги и функционально совместимые замены.

1. Прямые аналоги с корпусом SOT-23 и группой усиления "A":

• ON Semiconductor / Fairchild: MMBT858ALT1G (полный аналог, SOT-23, группа A).
• Nexperia (бывш. NXP): BC858B, 215 (обратите внимание, у Nexperia может быть другая система маркировки групп).
• Diodes Incorporated: BC858ALT1G.
• STMicroelectronics: BC858B (нужно сверять даташит на группу A).
• Мыльцов (Китай): SS8550 (НО ВНИМАНИЕ: у SS8550 другая цоколевка (распиновка) — эмиттер и коллектор поменяны местами! Это частая ошибка при замене).

2. Функционально совместимые замены (с проверкой даташита):

• 2N2907 / MMBT2907 — классический PNP-транзистор, но с другими предельными параметрами (более высокий ток, но часто меньший hFE).
• BC856A / BC857A — транзисторы из того же семейства, но с другими предельными напряжениями (BC856 - 80В, BC857 - 45В). BC857A — наиболее близкая замена по характеристикам.
• 2SA1037 / KSA1037 — также популярный маломощный PNP-транзистор.

Критически важное замечание по замене:

1. Всегда проверяйте распиновку (pinout)! У SOT-23 для PNP-транзисторов чаще всего используется расположение 1-Эмиттер, 2-База, 3-Коллектор (E-B-C), но бывают исключения (как у SS8550).
2. Сверяйте группу усиления (hFE), если она критична для вашей схемы (например, в усилительных каскадах).
3. Для ключевых схем (переключатель) чаще всего подойдет любой аналог с подходящими предельными напряжениями и током.

Рекомендация: Для гарантированной совместимости в новых проектах лучше всего использовать MMBT858ALT1G от ON Semiconductor или BC858B,215 от Nexperia, предварительно сверившись с их даташитами.