Infineon BC860BWH6327

Конечно, вот подробное описание транзистора Infineon BC860BWH6327, включая его технические характеристики, парт-номера и совместимые аналоги.

Общее описание

Infineon BC860BWH6327 — это маломощный PNP-биполярный транзистор (BJT), выполненный в миниатюрном корпусе SOT-323. Он принадлежит к серии BC8x0, которая является современной, улучшенной версией классической серии BC8x7 (такой как BC857). Транзистор оптимизирован для работы в диапазоне малых токов и напряжений, обладает высокой статической крутизной и низким уровнем собственных шумов.

Ключевые особенности:

• Тип: PNP-биполярный транзистор общего назначения.
• Назначение: Усиление слабых сигналов, переключение маломощных нагрузок, согласование уровней в аналоговых и цифровых схемах.
• Основные преимущества: Высокий коэффициент усиления по току (hFE), низкое напряжение насыщения, согласованные параметры для парных схем (с NPN-транзисторами серии BC8x0).
• Корпус: SOT-323 — очень компактный корпус для поверхностного монтажа (SMD), идеален для плотной компоновки печатных плат.

Технические характеристики (ТТХ)

Приведены абсолютные максимальные и типовые значения согласно даташиту Infineon.

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -45 В | Максимальное | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -50 В | Максимальное | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | -5 В | Максимальное | | Постоянный ток коллектора | I_C | -100 мА | Максимальный | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 330 мВт | При T_a ≤ 25°C | | Температура перехода | T_j | +150 °C | Максимальная | | Коэффициент усиления по току | h_FE | 200 - 450 | Класс B (V_CE = -5В, I_C = -2 мА) | | | | 125 - 300 | Класс C (V_CE = -5В, I_C = -2 мА) | | | | 85 - 200 | Класс D (V_CE = -5В, I_C = -2 мА) | | Частота перехода | f_T | 200 МГц (тип.) | V_CE = -5В, I_C = -10 мА | | Напряжение насыщения К-Э | V_CE(sat) | -0.25 В (макс.) | I_C = -100 мА, I_B = -5 мА | | Шумовое напряжение | v_n | 2.0 дБ (тип.) | f = 1 кГц, R_G = 10 кОм |

Примечание по маркировке: На корпусе SOT-323 нанесен код 3E. Буква после "3E" (например, B, C, D) указывает на группу коэффициента усиления hFE.

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Транзисторы часто поставляются с разными суффиксами в зависимости от упаковки (на бобине, в ленте) или региона. BC860BWH6327 — это полный порядковый номер для заказа.

• Основной парт-номер: BC860BWH6327
  • BC860 — базовая модель транзистора.
  • B — код группы усиления (hFE 200-450).
  • W — обозначение корпуса SOT-323.
  • H6327 — часто является внутренним кодом упаковки/поставщика (в данном случае, стандартная упаковка на бобине для автоматического монтажа).

Совместимые и аналогичные модели от других производителей:

Прямые функциональные аналоги (PNP, SOT-323, схожие параметры):

1. ON Semiconductor / Fairchild:

   • MMBT5401LT1G (более высокое V_CEO = -150В, но меньший hFE)
   • BC856BWT1G (ближайший аналог по характеристикам и назначению)

2. Nexperia (бывш. NXP):

   • BC856BW,115 (прямой аналог, часто взаимозаменяем)
   • BC858BW,115

3. Diodes Incorporated:

   • BC856B-7-F (в корпусе SOT-23, но электрически аналогичен)
   • BC858B-7-F

4. ROHM Semiconductor:

   • 2SA1037AK,215 (SOT-23)
   • 2SA1576K,215

5. Мыслить системно: Для симметричных каскадов (например, в операционных усилителях) часто используется в паре с NPN-транзистором BC850BWH6327 (или BC847B) от Infineon.

Важные замечания по замене:

• Всегда проверяйте распиновку (pinout)! У разных производителей в одном корпусе выводы (Коллектор, База, Эмиттер) могут быть расположены по-разному. У BC860BWH6327 от Infineon стандартная для SOT-323 распиновка: 1-Эмиттер, 2-База, 3-Коллектор (вид со стороны маркировки).
• Обращайте внимание на группу усиления (суффикс B, C, D). Для критичных к коэффициенту усиления схем замена на транзистор из другой группы может потребовать подстройки.
• Сверяйтесь с даташитом перед заменой, особенно по максимальным параметрам (V_CEO, I_C) и частотным характеристикам.

Таким образом, Infineon BC860BWH6327 — это надежный, современный PNP-транзистор для широкого спектра маломощных применений в электронике, где важны компактность, высокое усиление и стабильность параметров.