Infineon BCR148WH6327XTSA1
тел. +7(499)347-04-82
Описание Infineon BCR148WH6327XTSA1
Отличный выбор! Infineon BCR148WH6327XTSA1 — это очень популярный и надежный NPN-транзистор Дарлингтона с встроенными резисторами, предназначенный для коммутации маломощных нагрузок. Вот подробное описание и все необходимые данные.
Описание и применение
BCR148WH6327XTSA1 — это кремниевый NPN-транзистор Дарлингтона в миниатюрном корпусе SOT-323. Его ключевая особенность — встроенные резисторы на базе и между базой и эмиттером (R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм). Это делает устройство "цифровым", то есть его можно напрямую управлять от выходов микроконтроллеров (МК), логических схем (CMOS, TTL) или кнопок без необходимости добавления внешних токоограничивающих резисторов.
Основные преимущества:
- Простота использования: Не требует внешних резисторов для управления.
- Высокий коэффициент усиления по току (hFE): Благодаря структуре Дарлингтона обеспечивает очень большое усиление (до 45000), позволяя управлять нагрузкой током в сотни мА слабым сигналом от МК.
- Защита от электростатических разрядов (ESD): Встроенные резисторы обеспечивают хорошую защиту.
- Компактность: Корпус SOT-323 идеален для плотного монтажа на печатных платах.
Типичные области применения:
- Управление реле, соленоидами, небольшими двигателями постоянного тока.
- Коммутация светодиодов и светодиодных лент.
- Индуктивные и резистивные нагрузки в бытовой электронике, автомобильной электронике (некритичные системы).
- Интерфейс между низковольтной логикой и нагрузками с более высоким напряжением/током.
- Буферные каскады, драйверы.
Технические характеристики (ключевые параметры)
- Тип транзистора: NPN Дарлингтона со встроенными резисторами
- Корпус: SOT-323 (очень важно, так как существует в других корпусах)
- Полярность: NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (минус указывает на структуру NPN, абсолютное значение 50В)
- Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
- Напряжение эмиттер-база (VEBO): -12 В
- Постоянный ток коллектора (IC): -500 мА (максимальный непрерывный ток)
- Коэффициент усиления по току (hFE): мин. 1000 (при IC=10 мА, VCE=2 В) — типовое значение намного выше.
- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
- Макс. 1.5 В (при IC=100 мА, IB=0.5 мA)
- Макс. 2.5 В (при IC=350 мА, IB=1.75 мA) — Обратите внимание, напряжение насыщения для Дарлингтона относительно высокое, что приводит к заметному нагреву при больших токах.
- Встроенные резисторы: R1 (последовательно с базой) = 10 кОм, R2 (база-эмиттер) = 10 кОм
- Рассеиваемая мощность (Ptot): ~250-300 мВт (зависит от монтажа на плату, см. даташит)
- Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C
Важное примечание: Из-за высокого VCE(sat) при токах близких к 500 мА на транзисторе может рассеиваться мощность более 1 Вт (P = VCE(sat) * I), что превышает максимально допустимую для корпуса SOT-323. Для надежной работы рекомендуется использовать его с токами не более 100-200 мА без теплоотвода.
Парт-номера (полные номера деталей)
Этот компонент производится в различных корпусах. Указанный вами номер — это полный порядковый номер для конкретной упаковки (tape & reel).
- BCR148WH6327XTSA1 — полный номер для заказа. Расшифровка:
BCR148— базовая часть номера модели.W— корпус SOT-323.H6327— код упаковки/ленты (обычно 7-дюймовая катушка для автоматического монтажа).XTSA1— версия/опции производителя.
- Базовая модель: BCR148W
- Альтернативные корпуса от Infineon:
- BCR148 (в корпусе SOT-89 — бОльшая рассеиваемая мощность)
- BCR148S (в корпусе SOT-363 — тот же SOT-323, но с 6 выводами, из которых используются 3)
Совместимые и аналогичные модели (прямые аналоги)
Совместимые модели можно разделить на две группы: полные аналоги и функциональные аналоги (требуют проверки распиновки и параметров).
Прямые аналоги (с встроенными резисторами 10кОм+10кОм, SOT-323):
- Infineon BCR108W (более старая версия, практически полный аналог)
- ROHM DTC144WEA (распиновка может отличаться! У DTC144WEA выводы: 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор. У BCR148W: 1-Эмиттер, 2-Коллектор, 3-База. Внимание! Это взаимное расположение!)
- ROHM DTC144WCA (тот же чип, но в корпусе SOT-323 с другой распиновкой)
- ON Semiconductor (onsemi) MMBT6428LT1G (очень близкий аналог, SOT-23, распиновка стандартная: 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор)
- Nexperia BCR148W (Nexperia была выделена из NXP, производит ту же деталь)
Функциональные аналоги (NPN Дарлингтона со встр. резисторами, но номинал резисторов или корпус могут отличаться):
- KEC KRC108S (SOT-23)
- Toshiba DTA144WEA (PNP-версия, для "низкоактивного" управления)
- ROHM DTC143 (серия с разными номиналами резисторов, напр., DTC143ZKA: R1=4.7к, R2=10к)
- Серия "Digital Transistor" (DTC, DTA, RT1, RN1) от ROHM, Panasonic, Toshiba. При поиске необходимо проверять:
- Тип: NPN Дарлингтона.
- Номинал встроенных резисторов (R1, R2).
- Корпус и распиновку (pinout)!
Рекомендация по замене
- Лучшая замена: BCR108W или MMBT6428LT1G (проверив распиновку на плате).
- При проектировании новой платы: Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Datasheet) для проверки распиновки (Pinout) и максимальных характеристик. Не все "цифровые транзисторы" взаимозаменяемы по выводам.
- Для новых проектов: Рассмотрите использование MOSFET-транзисторов (например, серии 2N7002 или DMG2305UX для низковольтного управления) — они имеют меньшее падение напряжения и, как следствие, меньший нагрев при коммутации токов свыше 100 мА.
Где искать информацию: Всегда обращайтесь к официальному даташиту на BCR148W на сайте Infineon или авторизованных дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key).