Infineon BCR148WH6327XTSA1

Infineon BCR148WH6327XTSA1
Артикул: 562041

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание Infineon BCR148WH6327XTSA1

Отличный выбор! Infineon BCR148WH6327XTSA1 — это очень популярный и надежный NPN-транзистор Дарлингтона с встроенными резисторами, предназначенный для коммутации маломощных нагрузок. Вот подробное описание и все необходимые данные.

Описание и применение

BCR148WH6327XTSA1 — это кремниевый NPN-транзистор Дарлингтона в миниатюрном корпусе SOT-323. Его ключевая особенность — встроенные резисторы на базе и между базой и эмиттером (R1 = 10 кОм, R2 = 10 кОм). Это делает устройство "цифровым", то есть его можно напрямую управлять от выходов микроконтроллеров (МК), логических схем (CMOS, TTL) или кнопок без необходимости добавления внешних токоограничивающих резисторов.

Основные преимущества:

  • Простота использования: Не требует внешних резисторов для управления.
  • Высокий коэффициент усиления по току (hFE): Благодаря структуре Дарлингтона обеспечивает очень большое усиление (до 45000), позволяя управлять нагрузкой током в сотни мА слабым сигналом от МК.
  • Защита от электростатических разрядов (ESD): Встроенные резисторы обеспечивают хорошую защиту.
  • Компактность: Корпус SOT-323 идеален для плотного монтажа на печатных платах.

Типичные области применения:

  • Управление реле, соленоидами, небольшими двигателями постоянного тока.
  • Коммутация светодиодов и светодиодных лент.
  • Индуктивные и резистивные нагрузки в бытовой электронике, автомобильной электронике (некритичные системы).
  • Интерфейс между низковольтной логикой и нагрузками с более высоким напряжением/током.
  • Буферные каскады, драйверы.

Технические характеристики (ключевые параметры)

  • Тип транзистора: NPN Дарлингтона со встроенными резисторами
  • Корпус: SOT-323 (очень важно, так как существует в других корпусах)
  • Полярность: NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): -50 В (минус указывает на структуру NPN, абсолютное значение 50В)
  • Напряжение коллектор-база (VCBO): -50 В
  • Напряжение эмиттер-база (VEBO): -12 В
  • Постоянный ток коллектора (IC): -500 мА (максимальный непрерывный ток)
  • Коэффициент усиления по току (hFE): мин. 1000 (при IC=10 мА, VCE=2 В) — типовое значение намного выше.
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (VCE(sat)):
    • Макс. 1.5 В (при IC=100 мА, IB=0.5 мA)
    • Макс. 2.5 В (при IC=350 мА, IB=1.75 мA) — Обратите внимание, напряжение насыщения для Дарлингтона относительно высокое, что приводит к заметному нагреву при больших токах.
  • Встроенные резисторы: R1 (последовательно с базой) = 10 кОм, R2 (база-эмиттер) = 10 кОм
  • Рассеиваемая мощность (Ptot): ~250-300 мВт (зависит от монтажа на плату, см. даташит)
  • Температура перехода (Tj): от -55 до +150 °C

Важное примечание: Из-за высокого VCE(sat) при токах близких к 500 мА на транзисторе может рассеиваться мощность более 1 Вт (P = VCE(sat) * I), что превышает максимально допустимую для корпуса SOT-323. Для надежной работы рекомендуется использовать его с токами не более 100-200 мА без теплоотвода.


Парт-номера (полные номера деталей)

Этот компонент производится в различных корпусах. Указанный вами номер — это полный порядковый номер для конкретной упаковки (tape & reel).

  • BCR148WH6327XTSA1 — полный номер для заказа. Расшифровка:
    • BCR148 — базовая часть номера модели.
    • W — корпус SOT-323.
    • H6327 — код упаковки/ленты (обычно 7-дюймовая катушка для автоматического монтажа).
    • XTSA1 — версия/опции производителя.
  • Базовая модель: BCR148W
  • Альтернативные корпуса от Infineon:
    • BCR148 (в корпусе SOT-89 — бОльшая рассеиваемая мощность)
    • BCR148S (в корпусе SOT-363 — тот же SOT-323, но с 6 выводами, из которых используются 3)

Совместимые и аналогичные модели (прямые аналоги)

Совместимые модели можно разделить на две группы: полные аналоги и функциональные аналоги (требуют проверки распиновки и параметров).

Прямые аналоги (с встроенными резисторами 10кОм+10кОм, SOT-323):

  • Infineon BCR108W (более старая версия, практически полный аналог)
  • ROHM DTC144WEA (распиновка может отличаться! У DTC144WEA выводы: 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор. У BCR148W: 1-Эмиттер, 2-Коллектор, 3-База. Внимание! Это взаимное расположение!)
  • ROHM DTC144WCA (тот же чип, но в корпусе SOT-323 с другой распиновкой)
  • ON Semiconductor (onsemi) MMBT6428LT1G (очень близкий аналог, SOT-23, распиновка стандартная: 1-База, 2-Эмиттер, 3-Коллектор)
  • Nexperia BCR148W (Nexperia была выделена из NXP, производит ту же деталь)

Функциональные аналоги (NPN Дарлингтона со встр. резисторами, но номинал резисторов или корпус могут отличаться):

  • KEC KRC108S (SOT-23)
  • Toshiba DTA144WEA (PNP-версия, для "низкоактивного" управления)
  • ROHM DTC143 (серия с разными номиналами резисторов, напр., DTC143ZKA: R1=4.7к, R2=10к)
  • Серия "Digital Transistor" (DTC, DTA, RT1, RN1) от ROHM, Panasonic, Toshiba. При поиске необходимо проверять:
    1. Тип: NPN Дарлингтона.
    2. Номинал встроенных резисторов (R1, R2).
    3. Корпус и распиновку (pinout)!

Рекомендация по замене

  1. Лучшая замена: BCR108W или MMBT6428LT1G (проверив распиновку на плате).
  2. При проектировании новой платы: Всегда сверяйтесь с официальным даташитом (Datasheet) для проверки распиновки (Pinout) и максимальных характеристик. Не все "цифровые транзисторы" взаимозаменяемы по выводам.
  3. Для новых проектов: Рассмотрите использование MOSFET-транзисторов (например, серии 2N7002 или DMG2305UX для низковольтного управления) — они имеют меньшее падение напряжения и, как следствие, меньший нагрев при коммутации токов свыше 100 мА.

Где искать информацию: Всегда обращайтесь к официальному даташиту на BCR148W на сайте Infineon или авторизованных дистрибьюторов (например, Mouser, Digi-Key).

Товары из этой же категории