Infineon BCR191WH6327

Конечно, вот подробное описание, технические характеристики и информация о совместимости для Infineon BCR191WH6327.

Общее описание

BCR191WH6327 — это NPN-транзистор Дарлингтона в миниатюрном корпусе SOT-223, разработанный специально для линейного управления нагрузками (работа в активном режиме), такими как светодиоды, реле, соленоиды и небольшие лампы. Его ключевая особенность — встроенный резистор в цепи базы, что значительно упрощает схему управления, так как не требует внешнего токоограничивающего резистора между микроконтроллером (МК) и базой транзистора.

Это делает его идеальным решением для прямого управления от выходов микроконтроллеров, логических схем (3.3В/5В) и других слаботочных источников сигнала.

Ключевые особенности

• Встроенный резистор на базе: Упрощает схему, снижает количество компонентов и площадь на печатной плате.
• Высокий коэффициент усиления по току (hFE): Типично 1000 при 150 мА, что позволяет управлять нагрузкой с большим током при очень маленьком токе базы.
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce_sat): Обеспечивает минимальные потери мощности на самом транзисторе.
• Корпус SOT-223: Компактный, но с лучшим теплоотводом, чем SOT-23, благодаря металлической площадке (теплоотводящей фланц), которую можно припаять к полигону на плате.
• Предназначен для линейного режима: Оптимизирован для плавного регулирования тока (например, для ШИМ-диммирования светодиодов).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия / Примечание | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура | — | NPN-Дарлингтона | Со встроенными резисторами | | Напряжение коллектор-эмиттер | V_CEO | -80 В | Обратите внимание: напряжение отрицательное, так как структура NPN. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером. | | Напряжение коллектор-база | V_CBO | -80 В | | | Напряжение эмиттер-база | V_EBO | 12 В | | | Постоянный ток коллектора | I_C | 1 А | Максимальный средний ток. | | Коэффициент усиления по току | h_FE | min. 350, typ. 1000 | При I_C = 150 мА, V_CE = 2 В | | Напряжение насыщения К-Э | V_CE(sat) | max. 1.5 В | При I_C = 500 мА, I_B = 5 мА | | Встроенный резистор база-эмиттер | R₁ | 10 кОм | Защита от ложных срабатываний. | | Встроенный резистор база-вывод | R₂ | 10 кОм | Токоограничивающий резистор для управления. | | Рассеиваемая мощность | P_tot | 1.5 Вт | При температуре корпуса ≤ 25°C. Зависит от условий теплоотвода. | | Температура перехода | T_j | -40 ... +150 °C | | | Корпус | — | SOT-223 | 4 вывода (один не используется/дублирует коллектор для теплоотвода). |

Парт-номера (Part Numbers) и Совместимые модели

BCR191WH6327 — это конкретный парт-номер Infineon. У него есть прямые аналоги и функционально совместимые устройства от других производителей.

1. Прямые аналоги (тот же корпус и схема подключения):

• BCR191WH6327XTSA1 — полный парт-номер Infineon для автоматизированного производства (лента, катушка).
• BCR191W — основное название серии.

2. Функционально совместимые модели от других производителей (NPN Дарлингтона со встроенными резисторами, SOT-223/SOT-89):

• ON Semiconductor (ныне onsemi):
  • FMMT718TA (SOT-23, но меньшая мощность)
  • Корпус SOT-223: Прямого 100% аналога может не быть, но можно искать по параметрам (1А, 80В, с резисторами).
• STMicroelectronics:
  • STD1802T4 (SOT-223, 80В, 2А, со встроенными резисторами) — очень близкий и часто рекомендуемый аналог, часто даже с лучшими параметрами по току.
  • STP1802T4 (TO-252, аналог STD1802T4 в другом корпусе).
• NXP (Nexperia):
  • PBHV9115T,215 (SOT-223, 100В, 1А, с резисторами) — хорошая альтернатива.
  • PXT2907A,115 (SOT-223, PNP-версия, для управления нагрузкой по высокой стороне).
• Компания Diotec Semiconductor:
  • BCX56-10 (SOT-89, 80В, 1А, со встроенными резисторами) — популярный и доступный аналог. Важно: Распиновка SOT-89 отличается от SOT-223.

3. Что искать при выборе аналога:

При поиске замены обязательно проверяйте:

1. Структуру: NPN Дарлингтона.
2. Наличие встроенных резисторов (в даташите: "with built-in bias resistors").
3. Напряжение V_CEO: не менее вашего рабочего напряжения.
4. Ток I_C: не менее требуемого.
5. Корпус и распиновку: SOT-223, SOT-89 или другой. Распиновка может отличаться!

Типовая схема включения

Управление нагрузкой (например, светодиодной лентой 12В) от выхода микроконтроллера (3.3В или 5В):

1. Коллектор (C): Через нагрузку подключается к плюсу питания (+12V).
2. Эмиттер (E): Подключается к "земле" (GND).
3. База (B): Напрямую подключается к выходу МК. Встроенный резистор R2 (10 кОм) ограничивает ток базы до безопасных значений (~0.5 мА при 5В).
4. Нагрузка: Подключается между +V питания и коллектором.

Важное примечание: BCR191WH6327 не предназначен для высокочастотной импульсной работы (как MOSFET). Его оптимальный режим — линейное регулирование или низкочастотное ключевое управление (десятки-сотни Гц).