Infineon BCW66KFE6327

Infineon BCW66KFE6327 – Описание и технические характеристики

Описание

BCW66KFE6327 – это NPN-биполярный транзистор (BJT) от Infineon Technologies, предназначенный для универсальных усилительных и коммутационных применений. Этот транзистор отличается высокой надежностью, низким уровнем шума и хорошими частотными характеристиками. Корпус SOT-23 делает его компактным и удобным для поверхностного монтажа (SMD).

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CEO) | 45 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 100 мА |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 мВт |
| Коэффициент усиления по току (h_FE) | 100–630 |
| Частота перехода (f_T) | 250 МГц |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 0,3 В (при I_C = 10 мА) |
| Корпус | SOT-23 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые аналоги

• BCW66 (базовая серия Infineon)
• BCW66FE6327 (альтернативное обозначение)
• BCW66K (версия с улучшенными характеристиками)
• BC847B (от NXP/ON Semi, аналогичные параметры)
• 2SC2712 (от Toshiba)
• MMBT3904 (ON Semiconductor, с похожими характеристиками)

Применение

• Усилители НЧ и ВЧ
• Коммутация слаботочных цепей
• Драйверы реле и светодиодов
• Генераторы сигналов

Если вам нужны более точные аналоги или специфические параметры для замены, уточните условия работы (напряжение, ток, частота).