Infineon BSM200GA120DN11

Infineon BSM200GA120DN11 – Описание и технические характеристики

Общее описание

Модуль BSM200GA120DN11 от Infineon – это IGBT-модуль с двумя транзисторами и обратными диодами в одном корпусе. Предназначен для высоковольтных и сильноточных применений, таких как:

• Промышленные приводы
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электромобили и зарядные станции
• Солнечные инверторы

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая перегрузочная способность
• Встроенные NTC-термисторы для контроля температуры
• Изолированный корпус для простого монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|----------------------------|
| Тип модуля | Двойной IGBT с диодом (2-in-1) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 120 А (при 100°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,9 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) |
| Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 120 нс (тип.) |
| Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 К/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | 62 мм (EASY 2B) |
| Вес | ~200 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Infineon:

• BSM150GB120DN2 (150 А, 1200 В)
• BSM300GB120DN2 (300 А, 1200 В)
• BSM200GB170DN2 (200 А, 1700 В)

Альтернативы от других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM200DY-12NF (200 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (200 А, 1200 В)
• Semikron: SKM200GB12T4 (200 А, 1200 В)

Заключение

BSM200GA120DN11 – надежный IGBT-модуль для силовой электроники с высоким КПД и хорошей перегрузочной способностью. Подходит для замены аналогичных модулей от Mitsubishi, Fuji и Semikron.

Если нужны дополнительные данные (например, графики потерь или схемы подключения), уточните!