Infineon BSM30GD60DN2E

BSM30GD60DN2E – IGBT-модуль от Infineon

Описание:

BSM30GD60DN2E – это двухканальный IGBT-модуль с обратным диодом, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразований в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает простой монтаж на радиатор.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 90 А |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,85 В (тип.) |
| Динамические потери при переключении | Низкие |
| Встроенные обратные диоды | Да (каждый IGBT) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Корпус | DIP (Dual In-line Package) |
| Изоляция корпуса | 2500 В (между базовой пластиной и выводами) |

Эквиваленты и совместимые модели:

• Парт-номера Infineon:
  • BSM30GD60DLC (альтернативная версия)
  • BSM30GD60DN2 (вариант без "E" в конце)
  • BSM30GD60D (упрощенная маркировка)
• Аналоги от других производителей:
  • Fuji Electric: 2MBI30U2A-060
  • Mitsubishi Electric: CM30DY-12H
  • SEMIKRON: SKM30GB063D

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями (промышленные приводы)

Модуль обладает высокой надежностью и подходит для замены в большинстве стандартных схем с IGBT на 600 В / 30 А.