Infineon BSM75GB100D

Отличный выбор! BSM75GB100D — это один из классических и надежных модулей IGBT от Infineon. Вот подробное описание и вся необходимая информация.

Описание модуля BSM75GB100D

BSM75GB100D — это полумостовой (Half-Bridge) IGBT-модуль третьего поколения (IGBT3, Trench + Field Stop) с диодами обратного восстановления (Emitter Controlled 3 Diode). Он предназначен для мощных импульсных преобразователей, инверторов и систем управления двигателями.

Ключевые особенности и применение:

• Топология: Полумост (Half-Bridge). Это означает, что внутри корпуса собраны два силовых ключа (IGBT + диод), соединенные последовательно. Такая конфигурация является базовым строительным блоком для создания одно- или трехфазных инверторов.
• Технология: IGBT3 (TrenchStop) — обеспечивает низкое напряжение насыщения (Vce(sat)) и, как следствие, меньшие коммутационные потери по сравнению с предыдущими поколениями.
• Назначение: Преимущественно используется в промышленных приводах переменного тока, источниках бесперебойного питания (ИБП), сварочном оборудовании и индукционном нагреве.
• Корпус: Стандартный изолированный корпус 34mm, обеспечивающий электрическую изоляцию между базовой платой (радиатором) и силовыми выводами (изоляция до 2500 В).
• Уровень изоляции: Класс изоляции 1 (требуется дополнительный термоинтерфейс между модулем и радиатором).

Технические характеристики (основные)

| Параметр | Значение | Примечание | | :--- | :--- | :--- | | Конфигурация | Полумост (Half-Bridge) | 2 в 1 (два IGBT с антипараллельными диодами) | | Коллектор-Эмиттер напряжение (Vces) | 1000 В | Максимальное рабочее напряжение | | Номинальный ток (Ic @ 25°C) | 75 А | При температуре корпуса 25°C | | Ток коллектора (Ic @ 80°C) | 50 А | При температуре корпуса 80°C (более реалистичный параметр) | | Напряжение насыщения (Vce(sat)) | ~2.7 В (тип.) @ Ic=75A | Показывает эффективность проводимости | | Пиковый ток (Icm) | 150 А | Кратковременная перегрузка | | Прямое падение на диоде (Vf) | ~1.8 В (тип.) @ If=75A | | | Мощность рассеяния (Ptot) | 267 Вт | При Tc=25°C (суммарно на оба ключа) | | Температура перехода (Tj max) | +150 °C | Максимально допустимая | | Температура хранения (Tstg) | -40...+125 °C | | | Тепловое сопротивление переход-корпус (Rth(j-c)) | 0.47 К/Вт | На каждый IGBT | | Входная емкость (Cies) | 5200 пФ (тип.) | Влияет на требования к драйверу | | Заряд затвора (Qg) | 250 нКл (тип.) | Ключевой параметр для расчета драйвера | | Время включения/выключения (ton/toff) | ~40 нс / ~250 нс | При типовых условиях | | Восстановление диода (trr) | ~100 нс | | | Выходная энергия (Eas) | 150 мДж | Параметр устойчивости к перенапряжениям | | Вес | ~65 г | |

Важно: Полные данные смотрите в официальном Datasheet (Technical Information).

Парт-номера (Part Numbers) и совместимые модели

Модули часто имеют несколько парт-номеров, включая внутренние коды Infineon и номера для разных рынков или упаковок.

Прямые аналоги и парт-номера от Infineon:

• BSM75GB100DLC — Вероятно, тот же модуль с дополнительным суффиксом, указывающим на упаковку или незначительные отличия в маркировке. Основной номер для поиска — BSM75GB100D.
• BSM75GB100DL2 — Может указывать на модификацию с улучшенными характеристиками диода (L2 — Low Loss).

Совместимые / Аналогичные модели по характеристикам (замена):

При поиске замены необходимо учитывать конфигурацию (полумост), напряжение (1000В), ток (75А) и корпус (34mm).

1. От Infineon (новые поколения и аналоги):

• BSM75GB120DLC — Аналогичный модуль, но на 1200В. Внимание! Напряжение выше, использовать в схемах, рассчитанных на 1000В, можно, но не наоборот.
• BSM75GD100D — Модуль из той же серии, может иметь отличия в характеристиках диода.
• Серия CIK 75-100 (например, CIK75-100-01) — Более новая серия в корпусе 34mm с улучшенными показателями.
• FS75R06W1E3 / FS75R06W1E3_B11 — Более современный модуль 6-го поколения (IGBT4) в корпусе EconoDUAL™ 3. Имеет лучшие динамические характеристики, но другой корпус и монтаж. Замена требует переделки платы и системы охлаждения.

2. От других производителей (кросс-совместимость):

• SEMiX75GD100D — Аналог от Semikron (серия SEMiX). Часто является прямой или очень близкой заменой по габаритам и характеристикам.
• SKM75GB100D — Еще один аналог от Semikron (серия SKM). Требует проверки расположения выводов (pinout).
• Модули серии CM75/CM75DY от Mitsubishi (ныне Mitsubishi Electric), например, CM75DY-12H (75А, 600В) или CM75DY-24H (75А, 1200В). Важно: Цифра после "DY" указывает на номинальное напряжение в сотнях вольт (12H = 1200В). Нужно искать модель на 1000В и проверять корпус.
• Модули серии MG75 от Fuji Electric, например, 2MBi75U-100 (Half-Bridge на 75А, 1000В).

Критические замечания при замене:

1. Распиновка (Pinout): Самое важное! Перед заменой модуля от другого производителя необходимо обязательно сверить распиновку силовых и управляющих выводов. Они могут не совпадать, что приведет к выходу из строя.
2. Характеристики драйвера: Разные модули имеют разный заряд затвора (Qg) и входную емкость. Драйвер должен быть способен обеспечить необходимый ток заряда/разряда.
3. Механика: Габаритные размеры, расположение монтажных отверстий и высота должны совпадать.
4. Тепловое сопротивление: Может отличаться, что потребует пересчета системы охлаждения.

Рекомендация: Всегда старайтесь найти оригинальный модуль BSM75GB100D. Если это невозможно, в первую очередь рассматривайте SEMiX75GD100D от Semikron как наиболее вероятную прямую замену, но с обязательной проверкой по даташитам. Для новой разработки лучше выбирать более современные аналоги (например, от серии CIK от Infineon или EconoDUAL™).