Infineon BSM75GB120DN2E3223

Описание и технические характеристики IGBT-модуля Infineon BSM75GB120DN2E3223

Описание:
BSM75GB120DN2E3223 – это двухканальный IGBT-модуль от Infineon, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений, таких как промышленные приводы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и системы возобновляемой энергии. Модуль содержит два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, обеспечивая эффективное переключение и защиту от перенапряжений.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | 2-канальный IGBT (Half-Bridge) | | Макс. коллекторный ток (Ic)| 75 A (при 25°C) | | Напряжение коллектор-эмиттер (Vces)| 1200 V | | Напряжение насыщения (Vce(sat))| 1.85 V (тип.) при 75 A | | Время включения (ton) | 45 нс (тип.) | | Время выключения (toff) | 300 нс (тип.) | | Диод обратного восстановления (trr)| 130 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c))| 0.25 K/W (на канал) | | Корпус | EconoDUAL 2 (62 мм) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C | | Вес | ~170 г |

Другие парт-номера и совместимые модели

Аналоги Infineon:

• BSM75GB120DN2 (основной парт-номер без дополнительного суффикса)
• BSM75GB120DLC (альтернативная версия с другими параметрами корпуса)
• BSM100GB120DN2 (аналог на 100 А)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi Electric CM75DY-12H
• Fuji Electric 2MBI75U4B-120
• Semikron SKM75GB12T4

Модуль BSM75GB120DN2E3223 может заменяться аналогами с близкими параметрами по току и напряжению, но перед заменой необходимо проверять характеристики, особенно Vce(sat) и тепловые параметры.

Если требуется дополнительная информация по применению или схемы подключения, уточните запрос.