Infineon BSP149

Конечно. Вот подробное описание, технические характеристики и список парт-номеров для MOSFET-транзистора Infineon BSP149.

Общее Описание

Infineon BSP149 — это N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по передовой SuperJunction технологии (CoolMOS™). Он предназначен для использования в качестве высокоскоростного электронного ключа в импульсных источниках питания (SMPS), схемах коррекции коэффициента мощности (PFC), DC-DC преобразователях и других силовых приложениях.

Ключевые преимущества этой серии:

• Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) при малом времени переключения.
• Высокая эффективность и низкие динамические потери благодаря технологии SuperJunction.
• Высокая стойкость к лавинному пробою обеспечивает надежность и устойчивость к перенапряжениям в цепи стока.
• Низкий заряд затвора (Qg) упрощает управление и снижает нагрузку на драйвер.
• Логический уровень управления (Logic Level Gate) позволяет управлять затвором напряжением всего 4.5В, что делает его совместимым с большинством микроконтроллеров и низковольтной логикой без необходимости использования дополнительного драйвера.

Корпус TO-252 (DPAK) обеспечивает хороший отвод тепла и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).

Технические Характеристики (Electrical Characteristics)

При Tj = 25°C, если не указано иное.

| Параметр | Обозначение | Значение | Единица измерения | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | :--- | | Напряжение "сток-исток" | V_DSS | 600 | В | | | Сопротивление "сток-исток" в откр. сост. | R_DS(on) | 0.55 | Ом | V_GS = 10 В, I_D = 0.5 A | | | | 0.7 | Ом | V_GS = 4.5 В, I_D = 0.25 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | 2.5 - 4.0 | В | I_D = 1 mA | | Максимальный постоянный ток стока | I_D | 1.0 | А | при T_C = 25°C | | Максимальный импульсный ток стока | I_DM | 4.0 | А | | | Максимальная рассеиваемая мощность | P_tot | 42 | Вт | при T_C = 25°C | | Заряд затвора | Q_g | 4.5 | нКл | V_GS = 10 В | | Время включения | t_d(on) / t_r | 7.5 / 18 | нс | | | Время выключения | t_d(off) / t_f | 35 / 15 | нс | | | Температура перехода | T_j | -55 ... +150 | °C | |

Парт-Номера (Part Numbers)

Официальное полное обозначение компонента от Infineon:

• BSP149H6327XTSA1

Это полный порядковый номер, который включает в себя информацию о корпусе и упаковке. Часто в спецификациях и на схемах он указывается сокращенно как BSP149.

• BSP149 — базовая часть номера, обозначающая саму модель транзистора.
• H6327 — обозначает корпус (TO-252-3 single gauge) и характеристики упаковки.
• XTSA1 — версия продукта и информация о производстве.

Важно: При поиске и заказе на сайтах-каталогах (например, LCSC, Farnell, Mouser) лучше использовать полный номер BSP149H6327XTSA1, чтобы гарантированно получить оригинальную деталь в правильном корпусе.

Совместимые и Аналогичные Модели (Alternatives & Cross-Reference)

При поиске аналога или замены для BSP149 необходимо ориентироваться на ключевые параметры: N-channel, 600V, ток до 1А, логический уровень управления, корпус TO-252 (DPAK).

Прямые аналоги от других производителей:

• STMicroelectronics: STP3NK60ZFP (600V, 2.2A, 1.8 Ohm, Logic Level, DPAK)
• ON Semiconductor: NCD5700N (600V, 1.4A, 0.7 Ohm, Logic Level, DPAK) - очень близкий аналог.
• Vishay / Siliconix: SiHH10N60E (600V, 10A, 0.65 Ohm, но не логический уровень, требует ~10V на затворе) - важен нюанс с напряжением затвора.
• Fairchild / ON Semi: FCPF10N60 (600V, 10A, 0.65 Ohm) - также требует стандартного управления (~10V).

Совместимые модели из той же линейки Infineon (CoolMOS):

• BSP135 — другой популярный логический MOSFET от Infineon, но с другими параметрами (180V, 1.3A). Не является прямым аналогом по напряжению.
• IPP60R099CP — более новая и мощная модель из линейки CoolMOS CP, но в другом корпусе (TO-220) и с другими характеристиками.

Рекомендация по замене: Наиболее прямым и легко заменяемым аналогом является NCD5700N от ON Semiconductor. Перед заменой обязательно сверьтесь с даташитом, особенно обращая внимание на распиновку цоколевки (pinout) и значения паразитных емкостей (Ciss, Coss, Crss), которые могут влиять на работу в высокочастотных схемах.