Infineon BSP298H6327XUSA1

Отличный выбор! Infineon BSP298H6327XUSA1 — это мощный и надежный P-канальный MOSFET, предназначенный для широкого спектра задач коммутации и управления питанием. Вот подробное описание и технические характеристики.

Краткое описание

BSP298H — это P-канальный PowerMOSFET в компактном корпусе SOT-223, оптимизированный для низковольтных приложений (до -60V). Его ключевые преимущества:

• Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Всего 0.28 Ом при напряжении затвор-исток -10 В. Это минимизирует потери мощности и нагрев при коммутации больших токов.
• Высокий непрерывный ток стока (ID): До -2.5 А, что делает его подходящим для управления нагрузками средней мощности.
• Компактный корпус SOT-223: Занимает мало места на плате, но при этом имеет выделенный теплоотводящий фланец (вывод стока), что улучшает рассеивание тепла по сравнению с SOT-23.
• Логический уровень (Logic Level): Полностью открывается уже при напряжении затвор-исток -4.5 В (тип.), что позволяет напрямую управлять им от большинства микроконтроллеров (3.3В или 5В) без дополнительных драйверов.
• Быстрое переключение: Подходит для приложений, требующих частой коммутации (например, ШИМ-управление).

Основные области применения:

• Коммутация питания (Load Switch) в портативных устройствах.
• Управление двигателями постоянного тока (небольшие двигатели, соленоиды).
• Статические и импульсные преобразователи (DC-DC, полюс в низковольтных схемах).
• Защита от обратной полярности (Reverse Polarity Protection).
• Модули питания, системы управления батареями.

Полные технические характеристики

| Параметр | Обозначение | Значение | Условия | | :--- | :--- | :--- | :--- | | Структура транзистора | — | P-канальный, MOSFET | — | | Корпус | — | SOT-223 | — | | Полярность | — | P-Channel | — | | Макс. напряжение "сток-исток" | V_DS | -60 В | — | | Макс. напряжение "затвор-исток" | V_GS | ±20 В | — | | Непрерывный ток стока | I_D | -2.5 А | T_C = 25°C | | Сопротивление открытого канала | R_DS(on) | 0.28 Ом | V_GS = -10 В, I_D = -2.5 A | | | | 0.4 Ом | V_GS = -4.5 В, I_D = -1.5 A | | Пороговое напряжение затвора | V_GS(th) | от -1.0 до -2.5 В | I_D = -250 мкА | | Общий заряд затвора | Q_g | ~ 9 нКл (тип.) | V_GS = -10 В | | Макс. рассеиваемая мощность | P_tot | 2.0 Вт | T_A = 25°C (на плате) | | Диапазон рабочих температур | T_J | от -55 до +150 °C | — | | Класс ESD-защиты | — | > 2 кВ (HBM) | — |

Парт-номера (Part Numbers) и аналоги

Прямые аналоги и вторые источники (Functional Equivalents / Replacements):

Эти компоненты имеют схожие или идентичные ключевые параметры (V_DS = -60В, I_D ~ -2.5А, корпус SOT-223) и в большинстве случаев являются взаимозаменяемыми без изменений схемы:

• Diodes Inc: DMP2065U-7 (очень близкий аналог)
• ON Semiconductor: NTJD4155P (также P-канал, -60В, -2.5А, SOT-223)
• STMicroelectronics: STD15P6LLH6 (логический уровень, -60В, -3.5А, DPAK, но часто используется как аналог)
• Vishay / Siliconix: Si2345DS (логический уровень, -60В, -3.5А, SOT-223)

Совместимые/похожие модели от Infineon (той же серии или семейства):

• BSP295H6327XUSA1 — N-канальная версия того же семейства.
• BSP298H6327 — базовая часть номера, "USA1" часто указывает на тип упаковки (катушка/лента). Может встречаться как BSP298H.
• BSN20 — серия N-канальных, но в том же корпусе и для схожих применений.
• IPD (Intelligent Power Device) серии от Infineon — более продвинутые решения со встроенной защитой.

Важные примечания по замене:

1. Распиновка (Pinout): Всегда сверяйте распиновку корпуса SOT-223 у аналога. У большинства перечисленных моделей она стандартная (сток - фланец, затвор и исток - выводы), но возможны нюансы.
2. Параметры R_DS(on) и Q_g: При замене в высокочастотных или высокоэффективных схемах обязательно сравнивайте эти параметры.
3. Пороговое напряжение V_GS(th): Для гарантированной работы от логических уровней (3.3В) проверяйте этот параметр у аналога.

Вывод: Infineon BSP298H6327XUSA1 — это качественный, проверенный временем MOSFET, отлично подходящий для задач управления питанием в современной электронике. Благодаря логическому уровню управления и хорошему соотношению тока к сопротивлению, он остается популярным выбором среди разработчиков.